onsemi FDP039N08B-F102
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-06-27
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
onsemiFDP030N06B-F102
Single N-Channel 60 V 3.1 mOhm 99 nC 205 W Flange Mount Mosfet - TO-220-3
InfineonIPP120N10S403AKSA1
100V, N-Ch, 3.9 mΩ max, Automotive MOSFET, TO-220, OptiMOS™-T2, PG-TO220-3, RoHS
InfineonIPP120N06S402AKSA2
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube Automotive AEC-Q101
Descriptions
Descriptions de onsemi FDP039N08B-F102 fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N-CH Si 80V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
N-Channel PowerTrench® MOSFET 80V, 171A, 3.9mΩ
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 80V, 0.0039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advance PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Resistance3.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance9.45 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation214 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation214 W
Rds On Max3.9 mΩ
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité