onsemi FDP032N08B-F102
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2012-10-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
onsemiFDP030N06B-F102
Single N-Channel 60 V 3.1 mOhm 99 nC 205 W Flange Mount Mosfet - TO-220-3
InfineonIPA032N06N3GXKSA1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 84 A, 2.6 Milliohms, TO-220, 3 Pins, Through Hole
InfineonIPA029N06NXKSA1
OptiMOS Series N-Channel 60 V 84 A (Tc) 38 W (Tc) MOSFET - PG-TO220-FP
Descriptions
Descriptions de onsemi FDP032N08B-F102 fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin TO-220 Rail
Trans MOSFET N-CH Si 80V 211A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
N-Channel PowerTrench® MOSFET 80V, 211A, 3.3mΩ
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 80V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advance PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Resistance3.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time31 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance10.965 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation263 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max3.3 mΩ
Rise Time44 ns
Turn-Off Delay Time71 ns
Turn-On Delay Time38 ns
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité