onsemi FDP100N10
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EOL
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2007-08-26
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
Pièces détachées
InfineonIRFB4410PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 8 Milliohms;ID 88A;TO-220AB;PD 200W;VF 1.3V
InfineonAUIRFB4410
Automotive Q101 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB Package
Descriptions
Descriptions de onsemi FDP100N10 fournies par ses distributeurs.
FDP100N10 Series 100 V 10 mOhm N-Channel PowerTrench Mosfet TO-220AB
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100V, 75A, 10mΩ
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.
MOSFET,N CH,100V,75A,TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:75A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0082ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:208W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011)
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance10 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time115 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance7.3 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation208 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation208 W
Rds On Max10 mΩ
Resistance10 MΩ
Rise Time265 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.5 V
Turn-Off Delay Time125 ns
Turn-On Delay Time70 ns
Dimensions
Height16.51 mm
Length10.67 mm
Width4.83 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité