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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2008-09-09
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2012-08-27
LTD Date2013-02-27
Pièces détachées
VishaySIR470DP-T1-GE3
Single N-Channel 40 V 0.0023 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-SO-8
VishaySIR414DP-T1-GE3
MOSFET, N CH, 40V, 50A, POWERPAK SO; Transistor Polarity:N Channel; Continuous D
InfineonIRFR7446TRPBF
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free D-Pak package, DPAK-3, RoHS
InfineonIRFR7446PBF
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free D-Pak package, DPAK-3, RoHS
InfineonBSZ028N04LSATMA1
BSZ028N04LS Series 40 V 21 A OptiMOSTM Power-MOSFET - TSDSON-8 FL, PG-TSDSON-8, RoHS
Descriptions
Descriptions de onsemi FDMS8848NZ fournies par ses distributeurs.
MOSFET N-CH 40V 22.8A/49A 8PQFN
Power Field-Effect Transistor, 22.8A I(D), 40V, 0.0031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N-CHANNEL POWER MOSFET
MISCELLANEOUS MOSFETS;
PT4 Nch WITH ZENER
The FDMS8848NZ has been designed to minimize losses in power conversion application. Advancements in both silicon and package technologies have been combined to offer the lowest rDS(on) while maintaining excellent switching performance.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight90 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)22.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance3.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance8.075 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation104 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max3.1 mΩ
Rise Time19 ns
Turn-Off Delay Time63 ns