Vishay SIR414DP-T1-GE3
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Pièces détachées
VishaySIR470DP-T1-GE3
Single N-Channel 40 V 0.0023 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-SO-8
VishaySIS476DN-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 40 A, 0.00205 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
VishaySIRA02DP-T1-GE3
MOSFET, 30V, 50A, PPAKSO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Curr
InfineonIRLHM630TRPBF
INFINEON IRLHM630TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 21 A, 30 V, 2.8 mohm, 4.5 V, 800 mV
Descriptions
Descriptions de Vishay SIR414DP-T1-GE3 fournies par ses distributeurs.
MOSFET, N CH, 40V, 50A, POWERPAK SO; Transistor Polarity:N Channel; Continuous D
Single N-Channel 40 V 0.0028 Ohm SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPak-SO-8
Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 40V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N CH, 40V, 50A, POWERPAK SO; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0023ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:83W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:PowerPAK SO; No. of Pins:8; MSL:-
Alias du fabricant
Vishay possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Vishay peut également être connu sous les noms suivants :
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)33 A
Drain to Source Resistance3.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Fall Time13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.75 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation83 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation5.4 W
Rds On Max2.8 mΩ
Resistance2.8 mΩ
Rise Time22 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time42 ns
Turn-On Delay Time33 ns
Dimensions
Height1.04 mm
Length4.9 mm
Width5.89 mm
Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité