onsemi FDD8N50NZTM
EOL
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Farnell | FDD8N50NZTM | 0 | 1 | Cut Tape | 4h | |||||||
| element14 APAC | FDD8N50NZTM | 0 | 1 | Cut Tape | 6h | |||||||
| Microchip USA | FDD8N50NZTM | 139 | 600 | 11h | ||||||||
| Win Source | WS-FDD8N50NZTM | 2 500 | 60 | 19h | ||||||||
| Worldway Electronics | FDD8N50NZTM | 24 859 | 7 | Tape & Reel | 18h |
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Pièces de rechange
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-09-14
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 4 days ago)
LTB Date2022-12-30
LTD Date2023-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTD10NM50N
STMICROELECTRONICS STD10NM50N MOSFET Transistor, N Channel, 7 A, 500 V, 0.53 ohm, 10 V, 3 V
STMicroelectronicsSTD8NM60ND
Mosfet Transistor, N Channel, 7 A, 600 V, 0.59 Ohm, 10 V, 4 V Rohs Compliant: Yes
VishaySIHD7N60E-GE3
VISHAY SIHD7N60E-GE3 Power MOSFET, N Channel, 7 A, 650 V, 0.5 ohm, 10 V, 2 V
Descriptions
Descriptions de onsemi FDD8N50NZTM fournies par ses distributeurs.
N-Channel Power MOSFET, UniFETTM II, 500 V, 6.5 A, 850 mΩ, DPAK
N-Channel UnifetTm Ii Mosfet 500V, 6.5A, 850M/Reel Rohs Compliant: Yes |Onsemi FDD8N50NZTM
Single N-Channel 500 V 90 W 18 nC Silicon Surface Mount Mosfet - TO-252-3
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
UniFETTM II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s high voltage MOSFET family based on advanced planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET family has the smallest on-state resistance among the planar MOSFET, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, internal gate-source ESD diode allows UniFET II MOSFET to withstand over 2kV HBM surge stress. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.5 A
Drain to Source Resistance850 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time27 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance735 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation90 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation90 W
Rds On Max850 mΩ
Rise Time34 ns
Turn-Off Delay Time43 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height2.39 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité