STMicroelectronics STD8N65M5
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-11-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTD10NM65N
N-channel 650 V, 0.43 Ohm, 9 A, DPAK second generation MDmesh(TM) Power MOSFET
STMicroelectronicsSTD11NM50N
N-channel 500 V, 0.40 Ohm typ., 8.5 A MDmesh II Power MOSFET in a DPAK package
STMicroelectronicsSTD8NM60ND
Mosfet Transistor, N Channel, 7 A, 600 V, 0.59 Ohm, 10 V, 4 V Rohs Compliant: Yes
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STD8N65M5 fournies par ses distributeurs.
N-channel 650 V, 0.56 Ohm typ., 7 A MDmesh M5 Power MOSFET in DPAK package
STD8N65M5 N-channel MOSFET Transistor, 7 A, 650 V, 3-Pin TO-252
650 V, 7 A, 0.56 OHM N-CHANNEL MDMESH V POWER MOSFET IN DPAK Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 650V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET, N CH, 650V, 7A, DPAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 7A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.56ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dis
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)7 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance600 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance690 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation70 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation70 W
Rds On Max600 mΩ
Resistance600 mΩ
Rise Time14 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time50 ns
Dimensions
Height2.4 mm
Length6.6 mm
Width6.2 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant