onsemi FDD6637
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2005-11-15
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
VishaySUD45P03-09-GE3
Single P-Channel 30 V 8.7 mOhm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - TO-252
InfineonIPD090N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3 N-Channel 30 V 40A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
InfineonIPD075N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 N-Channel 30 V 50A (Tc) 47W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Descriptions
Descriptions de onsemi FDD6637 fournies par ses distributeurs.
P-Channel 35 V 11.6 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet TO-252-3
P-Channel PowerTrench® MOSFET, 35V, -55A, 11.6mΩ
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 35V, 0.0116ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -13A; Drain Source Voltage Vds: -35V; On Resistance Rds(on): 9.7mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V; Thr
This P-Channel MOSFET has been produced using Fairchild Semiconductor's proprietary PowerTrench technology to deliver low Rdson and optimized Bvdss capability to offer superior performance benefit in the applications.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-252
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)13 A
Drain to Source Breakdown Voltage-35 V
Drain to Source Resistance11.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)-35 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time36 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance2.37 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation57 W
Min Breakdown Voltage35 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-1.6 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.3 W
Rds On Max11.6 mΩ
Resistance11.6 MΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-1.6 V
Turn-Off Delay Time62 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height2.517 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité