onsemi FDD6635
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2005-10-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2021-10-08
LTD Date2022-04-08
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Pièces détachées
VishaySUD45P03-09-GE3
Single P-Channel 30 V 8.7 mOhm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - TO-252
VishaySUD42N03-3M9P-GE3
SUD42N03-3M9P-GE3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 107 A, 30 V, 3-PIN TO-252AA
Descriptions
Descriptions de onsemi FDD6635 fournies par ses distributeurs.
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 35V, 59A, 10mΩ
35V Nch Er Trench Mosfet Rohs Compliant: Yes
Trans MOSFET N-CH 35V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
MOSFETs 35V N-Ch PowerTrench MOSFET
35V 59A 55W 10m´Î@10V15A 3V@250Ã×A N Channel TO-252 MOSFETs ROHS
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 35V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
This N-Channel MOSFET has been produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary PowerTrench technology to deliver low Rdson and optimized Bvdss capability to offer superior performance benefit in the applications.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-252
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)15 A
Drain to Source Breakdown Voltage35 V
Drain to Source Resistance10 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)35 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.4 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation55 W
Min Breakdown Voltage35 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.8 W
Rds On Max10 mΩ
Rise Time6 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time28 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height2.517 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité