onsemi FDD2670

N-Channel PowerTrench® MOSFET 200V 3.6A, 130mΩ
$ 1.027
Production
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Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Verical
2
FDD26702 490284
Rochester Electronics
2
FDD26704 303
1d
DigiKey
3
FDD2670CT-ND1 1031Cut Tape
NewarkFDD267002500Tape & Reel
Onlinecomponents.comFDD26700625Bulk

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour onsemi FDD2670.

IHS

Datasheet6 pagesIl y a 4 ans
Datasheet0 pageIl y a 0 an

Master Electronics

element14 APAC

onsemi

Farnell

Historique des stocks

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-0.34%
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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-06-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Pièces détachées

VishaySUD15N15-95-E3
Single N-Channel 150 V 0.095 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252
Détails
onsemiFDD86252
Shielded Gate PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 150 V, 27 A, 52 mΩ
Détails
STMicroelectronicsSTD4NS25T4
N-CHANNEL 250V 0.9 OHM 4A DPAK MESH OVERLAY MOSFET
Détails
VishaySUD25N15-52-E3
Single N-Channel 150 V 0.052 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252
Détails
STMicroelectronicsSTD7NS20T4
N-channel 200 V, 0.35 Ohm typ., 7 A Power MOSFET in DPAK package
Détails
onsemiFDD3682
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 100V, 32A, 0.036 ohm
Détails

Descriptions

Descriptions de onsemi FDD2670 fournies par ses distributeurs.

N-Channel PowerTrench® MOSFET 200V 3.6A, 130mΩ
onsemi
Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 200V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
IHS
MOSFET, N, SMD, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.6A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):130mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:70mW; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:3.6A; Package / Case:DPAK; Power Dissipation Pd:70mW; Pulse Current Idm:20A; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:200V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
element14 APAC
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. These MOSFETs feature faster switching and lower gate charge than other MOSFETs with comparable RDS(ON) specifications. The result is a MOSFET that is easy and safer to drive (even at very high frequencies), and DC/DC power supply designs with higher overall efficiency.
Fairchild Semiconductor

Images

Newark
Farnell
Newark
iiiC
iiiC
Rochester Electronics

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • FDD2670.