onsemi FDC6420C
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2001-07-06
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
InfineonBSL205NH6327XTSA1
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Diodes Inc.ZXM62P02E6TA
ZXM62P02E6 20 V 0.2 Ohm P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET - SOT-23-6
InfineonIRLMS6702TRPBF
-20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 (Micro 6) package, TSOP6L, RoHS
Descriptions
Descriptions de onsemi FDC6420C fournies par ses distributeurs.
ON SEMICONDUCTOR - FDC6420C - Dual MOSFET, N and P Channel, 3 A, 20 V, 0.05 ohm, 4.5 V, 900 mV
Dual N/P-Channel 20 V 70 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SSOT-6
Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, DUAL, NP, SMD, SUPERSOT-6; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:3A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):70mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:900mV; Power Dissipation Pd:960mW; Transistor Case Style:SuperSOT; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:3A; Package / Case:SuperSOT-6; Power Dissipation Pd:960mW; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:20V; Voltage Vgs Max:900mV; Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V
These N & P-Channel MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance. These devices have been designed to offer exceptional power dissipation in a very small footprint for applications where the bigger more expensive SO-8 and TSSOP-8 packages are impractical.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-23-6
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight36 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)3 A
Current Rating3 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance70 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Dual Supply Voltage20 V
Element ConfigurationDual
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance324 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation700 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs900 mV
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingCut Tape
Power Dissipation960 mW
Rds On Max70 mΩ
Resistance70 MΩ
Rise Time12 ns
Schedule B8541210080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage900 mV
Turn-Off Delay Time10 ns
Dimensions
Height900 µm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité