onsemi FDBL0110N60
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2015-03-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
InfineonIRFS7530TRL7PP
Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R / MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
InfineonAUIRF7749L2TR
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET L8 package, MG-WDSON-11, RoHS
Descriptions
Descriptions de onsemi FDBL0110N60 fournies par ses distributeurs.
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 60V, 300A, 1.1mΩ
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
TO-leadless, MV7, 60V - 8LDS, PSOF, JEDEC MO299, 11.68X9.90MM
场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 300A, 175度 C, 429W;
429W(Tj) 20V 4V@ 250¦ÌA 220nC@ 10 V 1N 60V 1.1m¦¸@ 80A,10V 300A 13.65nF@30V HPSOF-8 10.48mm*9.9mm*2.4mm
FDBL0110N60 - N-CHANNEL POWERTRE
Chip Resistor - Surface Mount 22.1kOhm 0603 (1608 Metric) ±1% ±100ppm/°C Thick Film Tape & Reel (TR) 2 1 (Unlimited) ERJ RES SMD 22.1K OHM 1% 1/10W 0603
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -10.27%
Modèles CAO
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Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals2
Weight850.0521 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)300 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance1.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance13.65 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation429 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation429 W
Rds On Max1.1 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time80 ns
Turn-On Delay Time45 ns
Dimensions
Height2.4 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité