Infineon IRFS7530TRL7PP
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Pièces détachées
InfineonIRFS7534TRLPBF
MOSFET N CH 60V 195A D2PAK N-Channel 60 V 195A (Tc) 294W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
InfineonIRFS3006TRL7PP
MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK N-Channel 60 V 240A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
InfineonIPB014N06NATMA1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 180 A, 0.0012 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
STMicroelectronicsSTH265N6F6-6AG
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Descriptions
Descriptions de Infineon IRFS7530TRL7PP fournies par ses distributeurs.
MOSFET N CH 60V 240A D2PAK N-Channel 60 V 240A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R / MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 7-Pin D2-Pak package, D2PAK7P, RoHS
Infineon SCT
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 240 A, 0.00115 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Single N-Channel 60 V 1.4 mOhm 236 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK-7
MOSFET, 60V,240A, 1.4mOhm, 236nC, D2PAK7 Pin
Benefits: RoHS Compliant; Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness; Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA; Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-263-7
MountSurface Mount
Number of Pins7
Weight1.59999 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)240 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance1.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time79 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance12.96 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation375 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance1.4 mΩ
Package Quantity800
Power Dissipation375 W
Rds On Max1.4 mΩ
Rise Time102 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.7 V
Turn-Off Delay Time168 ns
Turn-On Delay Time24 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité