Infineon IRF2804SPBF

Single N-Channel 40 V 2 mOhm 160 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
$ 4.89
Obsolete
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
RS (Formerly Allied Electronics)IRF2804SPBF01Bulk
15h
FarnellIRF2804SPBF01
9h
Win SourceWS-IRF2804SPBF10 36045
1d
Worldway ElectronicsIRF2804SPBF13 8567Tube
23h
Fly-Wing TechnologyIRF2804SPBF61 247
2d

Fiches techniques et documents

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IHS

Datasheet12 pagesIl y a 15 ans

Farnell

Newark

iiiC

RS (Formerly Allied Electronics)

Modèles CAO

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-10-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-12-15
LTD Date2019-06-15

Pièces détachées

InfineonIRF2804STRRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 40V;RDS(ON) 1.8Milliohms;ID 75A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-20
Détails
onsemiFDB8441-F085
Trans MOSFET N-CH Si 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Détails
InfineonIRF2804STRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 40V;RDS(ON) 1.8Milliohms;ID 75A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-20
Détails
STMicroelectronicsSTB80NF03L-04T4
N-Channel 30V - 0.0035Ohm - 80A - D2PAK STripFET (TM) II POWER MOSFET
Détails
InfineonIRL1404ZSPBF
Single N-Channel 40 V 3.1 mOhm 75 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Détails
STMicroelectronicsSTB120N4LF6
N-channel 40 V, 3.1 mOhm, 80 A, D2PAK STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IRF2804SPBF fournies par ses distributeurs.

Single N-Channel 40 V 2 mOhm 160 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Future Electronics
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 40V;RDS(ON) 1.5Milliohms;ID 75A;D2Pak;PD 330W;VGS +/-20
RS (Formerly Allied Electronics)
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature
Infineon
MOSFET, N, 40V, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:75A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):2mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:300mW; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Base Number:2804; Current Id Max:270A; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:300mW; Pulse Current Idm:1080A; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:40V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V
element14 APAC
Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET(R) Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low onresistance per silicon area. Additional features of this design are a 175oC junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in Automotive applications and a wide variety of other applications.

Images

Infineon
element14 APAC
Augswan
Distrelec
DKO Electronshik
TME
Conrad
Newark
element14 APAC
Distrelec
element14
RS (Formerly Allied Electronics)
Jameco
Rochester Electronics
iiiC

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IRF2804SPBF.
  • SP001561604