Infineon IRFS4610PBF
$ 4.87
Obsolete
Prix et stock
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Modèles CAO
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Pièces de rechange
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-11-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
Descriptions
Descriptions de Infineon IRFS4610PBF fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 73A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes ;RoHS Compliant: Yes
MOSFET, N, 100V, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:73A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):14mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:190W; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:D2-PAK; Current Id Max:73A; Junction to Case Thermal Resistance A:0.77°C/W; On State resistance @ Vgs = 10V:14mohm; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:190W; Power Dissipation Pd:190W; Pulse Current Idm:290A; Termination Type:SMD; Voltage Vds:100V; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)73 A
Current Rating73 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance14 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Dual Supply Voltage100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time70 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.55 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation190 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation190 W
Rds On Max14 mΩ
Recovery Time53 ns
Resistance14 mΩ
Rise Time87 ns
Turn-Off Delay Time53 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height4.826 mm
Length10.668 mm
Width9.65 mm
Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité