Infineon IRFB4229PBF
$ 1.394
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : +5.94%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Modèles CAO
Téléchargez les symboles Infineon IRFB4229PBF, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 EE Concierge | SymboleEmpreinte |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-09-10
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)
Pièces détachées
InfineonIRFB260NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.04Ohm;ID 56A;TO-220AB;PD 380W;VGS +/-20V
InfineonIRFB38N20DPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.054Ohm;ID 43A;TO-220AB;PD 300W;VGS +/-30V
Descriptions
Descriptions de Infineon IRFB4229PBF fournies par ses distributeurs.
IRFB4229PBF N-channel MOSFET Transistor, 46 A, 250 V, 3-Pin TO-220AB
250V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET PDP Switch in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube / MOSFET N-CH 250V 46A TO-220AB
Single N-Channel 250 V 46 mOhm 72 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
Power MOSFET, N Channel, 250 V, 46 A, 0.038 ohm, TO-220AB, Through Hole
Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 250V, 0.046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N, 250V, TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:46A; Drain Source Voltage Vds:250V; On Resistance Rds(on):46mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:5V; Power Dissipation Pd:330W; Operating Temperature Range:-40°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Base Number:4229; Current Id Max:46A; N-channel Gate Charge:72nC; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:330W; Power Dissipation Pd:330mW; Pulse Current Idm:180A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:250V; Voltage Vgs Max:30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:5V; Voltage Vgs th Min:3V
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : +5.94%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)46 A
Drain to Source Breakdown Voltage250 V
Drain to Source Resistance46 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)250 V
Dual Supply Voltage250 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time21 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance4.56 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation330 W
Min Breakdown Voltage250 V
Min Operating Temperature-40 °C
Nominal Vgs5 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance46 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation330 W
Rds On Max46 mΩ
Recovery Time290 ns
Resistance46 MΩ
Rise Time31 ns
Schedule B8541290080
TerminationThrough Hole
Threshold Voltage5 V
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height19.15 mm
Length10.6426 mm
Width4.82 mm
Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité