onsemi BC63916-D74Z
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Ce composant
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Stock
339,980
420,082
Authorized Distributors
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-92-3
TO-92-3
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
80 V
80 V
Max Collector Current
1 A
1 A
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
500 mV
500 mV
hFE Min
25
25
Power Dissipation
830 mW
830 mW
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date2005-09-27
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
onsemiKSD1616AYTA
TRANS NPN 60V 1A TO92-3 / Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 1 A 160MHz 750 mW Through Hole TO-92-3
Descriptions
Descriptions de onsemi BC63916-D74Z fournies par ses distributeurs.
Transistor General Purpose BJT NPN 80 Volt 1 Amp 3-Pin TO-92 Ammo
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
Bjt (Bipolar Junction Transistor) Rohs Compliant: Yes
80V 830mW 1A 100@150mA2V 100MHz 500mV@500mA50mA NPN -55¡Í~+150¡Í@(Tj) TO-92-3L Bipolar Transistors - BJT ROHS
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-92-3
Contact PlatingCopper, Silver, Tin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight55 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Current Rating1 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min25
Max Breakdown Voltage80 V
Max Collector Current1 A
Max Frequency100 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation830 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)80 V
Dimensions
Height8.77 mm
Length5.2 mm
Width4.19 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité