onsemi BC639-16ZL1G
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Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-02-15
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2015-05-08
LTD Date2015-12-31
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi BC639-16ZL1G fournies par ses distributeurs.
Tape & Box (TB) Through Hole NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 100 @ 150mA 2V 100nA ICBO 625mW 200MHz
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226
High Current NPN Bipolar Transistor hFE 100 to 250
Bipolar (Bjt) Single Transistor, Npn, 80 V, 200 Mhz, 800 Mw, 1 A, 100 Rohs Compliant: Yes |Onsemi BC639-16ZL1G.
Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-92 Tape and Ammo
TRANSISTOR, NPN, 80V, 1A, TO-92-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80V; Transition Frequency ft: 200MHz; Power Dissipation Pd: 800mW; DC Collector Current: 1A; DC Current Gain hFE: 100hFE; Transis
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-92-3
Contact PlatingCopper, Silver, Tin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Current Rating1 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency200 MHz
Gain Bandwidth Product200 MHz
hFE Min25
Max Breakdown Voltage80 V
Max Collector Current1 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation800 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation625 mW
Transition Frequency200 MHz
Voltage Rating (DC)80 V
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité