Diodes Inc. BCX38C
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-10-31
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
onsemiKSD1616AYTA
TRANS NPN 60V 1A TO92-3 / Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 1 A 160MHz 750 mW Through Hole TO-92-3
onsemiKSD1616AGTA
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
Descriptions
Descriptions de Diodes Inc. BCX38C fournies par ses distributeurs.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
BCX38C Series 60 V 800 mA NPN Silicon Planar Medium Power Darlington Transistor
Darlington Transistor NPN - Darlington 60V 800mA TO-226-3
DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 60V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:60V; Power Dissipation, Pd:1W; DC Collector Current:800mA; DC Current Gain Max (hfe):10000; Operating Temperature Range:-55°C to +200°C ;RoHS Compliant: Yes
DARLINGTON TRANSISTOR, E-LINE; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:800mA; DC Current Gain hFE:10000; Transistor Case Style:E-Line; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012); Av Current Ic:800mA; Collector Emitter Voltage Vces:1.25V; Continuous Collector Current Ic Max:800mA; Current Ic Continuous a Max:800mA; Current Ic hFE:500mA; Device Marking:BCX38C; Full Power Rating Temperature:25°C; Hfe Min:10000; No. of Transistors:1; Package / Case:E-Line; Power Dissipation Pd:1W; Power Dissipation Ptot Max:1W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Darlington; Voltage Vcbo:80V
Alias du fabricant
Diodes Inc. possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Diodes Inc. peut également être connu sous les noms suivants :
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-92-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight453.59237 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.25 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Continuous Collector Current800 mA
Current Rating800 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)10 V
hFE Min10000
Max Collector Current800 mA
Max Operating Temperature200 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation2 W
Schedule B8541290040
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height4.83 mm
Length4.78 mm
Width3.66 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité