onsemi 2N7000

Transistor MOSFET N Channel 60 Volt 0.2 Amp 3 Pin TO-92 Bulk
$ 0.124
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Fiches techniques et documents

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Pièces de rechange

Ce composant
Pièces de rechange
Price @ 1000
$ 0.124
$ 0.161
$ 0.161
Stock
2,112,401
1,025,009
1,025,009
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-92
TO-92
TO-92
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
200 mA
200 mA
200 mA
Threshold Voltage
2.1 V
2.1 V
2.1 V
Rds On Max
5 Ω
2 Ω
2 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
350 mW
400 mW
400 mW
Input Capacitance
40 pF
50 pF
50 pF

Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1989-06-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Pièces détachées

2N7000 Series 60 V 200 mA N-Ch. Enhancement Mode Field Effect Transistor-TO-92-3
BS170 Series 60 V 500 mA 830 mW N-Channel Small Signal Mosfet - TO-92-3
onsemiBS170
TRANSISTOR, MOSFET, N-CHANNEL, FIELD EFFECT, ENHANCEMENT MODE, 60V, 0.5A TO-92
onsemi2N7000BU
N-Channel 60 V 5 Ohm Through Hole Advanced Small Signal Mosfet - TO-92
N-Channel Small Signal MOSFET 60V, 500mA, 5Ω
onsemiBS270
N-Channel MOSFET, Enhancement Mode, 60V, 400mA, 2Ω

Descriptions

Descriptions de onsemi 2N7000 fournies par ses distributeurs.

Transistor MOSFET N Channel 60 Volt 0.2 Amp 3 Pin TO-92 Bulk
ON SEMICONDUCTOR - 2N7000 - MOSFET Transistor, N Channel, 200 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V
MOSFET;N-Ch;VDSS 60VDC;RDS(ON) 5 Ohms;ID 200mA;TO-92 (TO-226);PD 350mW;-55degc
N-Channel MOSFET, Enhancement Mode, 60V, 200mA, 5 Ω
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Through Hole
Mosfet, N-Ch, 60V, 0.2A, To-226Aa; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:200Ma; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2.1V Rohs Compliant: Yes |Onsemi 2N7000.
This N-Channel enhancement mode field effect transistor is produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This product has been designed to minimize on-state resistance while providing rugged, reliable, and fast switching performance. This can be used in most applications requiring up to 400 mA DC and can deliver pulsed currents up to 2 A. This product is particularly suited for low voltage, low current applications such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers, and other switching applications.

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • 2N7000.