Omron EE-SG3-B
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Obsolete
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
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Chaîne d'approvisionnement
Introduction Date1994-08-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2021-03-31
LTD Date2021-06-30
Descriptions
Descriptions de Omron EE-SG3-B fournies par ses distributeurs.
Transmissive Photo Interrupter, Phototransistor, 50 Ma, 1.2 V, 4 V, 3.6 Mm Rohs Compliant: Yes
Photointerrupter Transmissive 3.6mm Phototransistor 4-Pin
OMRON ELECTRONIC COMPONENTS EE-SG3-B Transmissive Photo Interrupter, Phototransistor, Through Hole, 3.6 mm, 50 mA, 4 V
Transmissive Types with Phototransistor Output, PCB mounting, RoHS
Omron SCT
Photomicrosensor Transmissive 1.2 V Typ 1.5 V Max 30mA
Transistor Output Slotted Switch, 1-Channel, 3.6mm Slot Width
PHOTOMICROSENSOR, TRANSMISSIVE, 3.6MM;
Through Beam Photo Sensor 3.6mm
Photo micro sensor interrupters
SENSOR OPT SLOT PHOTOTRAN PCB MT
SENSR OPTO SLOT 3.6MM TRANS THRU
Optical Sensor (Switch) Transmissive / Slotted Interrupter No. of Channels:1; Optocoupler Output Type:Transistor; Input Current:20mA; Output Voltage:30V; Opto Case Style:Slotted; No. of Pins:4; Input Current Max:30mA
Alias du fabricant
Omron possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Omron peut également être connu sous les noms suivants :
- Omron Electronics
- Omron Electronics Inc-EMC Div
- Omron Automation and Safety
- Omron Electronic Components
- OMR
- OMROM
- OMRO
- OMRON INDUSTRIAL AUTOMATION
- OMRON STI
- OMRON Corporation
- OMRN
- OMRON CORP
- OMRON INDUSTRIAL
- Omron Automation
- OMRON-IA
- OMRON ELECTRONICS INC
- Omron Automation & Safety
- Omron Electronics LLC
- Omron Electronics Inc-IA Div
- Omron Electronics Inc-ECB Div
- OMRON Electronic Components LLC
- OMRON SAFETY
- OMRON ELECTRONI
- OMRONELEC
- OMRON GMBH
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Spécifications techniques
Physical
MountPCB, Through Hole
Number of Pins4
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Dark Current200 nA
Fall Time4 µs
Forward Current50 mA
Forward Voltage1.2 V
Input Current30 mA
Max Collector Current20 mA
Max Operating Temperature85 °C
Max Power Dissipation100 mW
Min Operating Temperature-25 °C
Number of Channels1
Number of Circuits1
Number of Elements1
Output ConfigurationPhototransistor
Output Voltage10 V
PackagingBulk
Power Dissipation100 mW
Response Time4 µs
Reverse Breakdown Voltage4 V
Reverse Voltage (DC)4 V
Rise Time4 µs
Schedule B8541408000
Sensing Distance3.6 mm
TerminationSolder
Wavelength940 nm
Dimensions
Length25.4 mm
Width2 mm
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