Omron EE-SG3
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Chaîne d'approvisionnement
Introduction Date1994-08-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descriptions
Descriptions de Omron EE-SG3 fournies par ses distributeurs.
SENSOR, TRANSMISSIVE, THRU BEAM RETROREFLECTIVE SENSING MODE, PHOTOELECTRIC
Optical Sensor (Switch) Transmissive / Slotted Interrupter No. of Channels:1; Optocoupler Output Type:Transistor; Input Current:20mA; Output Voltage:30V; Opto Case Style:Slotted; No. of Pins:4; Input Current Max:30mA
PHOTO INTERRUPTER, TRANSMISSIVE, 3.6MM; Sensor Output: Phototransistor; Sensor Mounting: Through Hole; Gap Width: 3.6mm; Aperture Width: -; Forward Current If: 50mA; Reverse Voltage Vr: 4V; Forward Voltage: 1.2V; Product Range:
Photomicrosensor, Transistor; Sensing Method:Transmissive; Sensing Distance/Slot Width:3.6Mm; Supply Voltage Min:-; Supply Voltage Max:-; Sensor Case/Package:Module; Collector Emitter Voltage Max:30V; Ip Rating:-; Qualification:-Rohs Compliant: Yes |Omron Electronic Components EE-SG3
Alias du fabricant
Omron possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Omron peut également être connu sous les noms suivants :
- Omron Electronics
- Omron Electronics Inc-EMC Div
- Omron Automation and Safety
- Omron Electronic Components
- OMR
- OMROM
- OMRO
- OMRON INDUSTRIAL AUTOMATION
- OMRON STI
- OMRON Corporation
- OMRN
- OMRON CORP
- OMRON INDUSTRIAL
- Omron Automation
- OMRON-IA
- OMRON ELECTRONICS INC
- Omron Automation & Safety
- Omron Electronics LLC
- Omron Electronics Inc-IA Div
- Omron Electronics Inc-ECB Div
- OMRON Electronic Components LLC
- OMRON SAFETY
- OMRON ELECTRONI
- OMRONELEC
- OMRON GMBH
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
MountPanel, Solder, Through Hole
Number of Pins4
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Dark Current200 nA
Fall Time4 µs
Forward Current50 mA
Forward Voltage1.2 V
Input Current30 mA
Max Collector Current20 mA
Max Input Current30 mA
Max Operating Temperature85 °C
Max Power Dissipation100 mW
Min Operating Temperature-25 °C
Number of Channels1
Number of Circuits1
Number of Elements1
Output ConfigurationPhototransistor
Output TypePhototransistor
Output Voltage30 V
PackagingBulk
Power Dissipation100 mW
Response Time4 µs
Reverse Breakdown Voltage4 V
Reverse Voltage (DC)4 V
Schedule B8541408000
Sensing Distance3.6 mm
TerminationSolder
Wavelength940 nm
Dimensions
Length25.4 mm
Width2 mm
Fiches techniques et documents
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