NXP Semiconductors PSMN017-30LL,115
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-07-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2012-06-26
LTD Date2012-12-26
Pièces détachées
NXP SemiconductorsPSMN5R8-30LL,115
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Descriptions
Descriptions de NXP Semiconductors PSMN017-30LL,115 fournies par ses distributeurs.
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin QFN EP T/R
MOSFET, N CH, 30V, 15A, 8-QFN3333
N-channel DFN3333-8 30 V 17 mΩ logic level MOSFET
Alias du fabricant
NXP Semiconductors possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. NXP Semiconductors peut également être connu sous les noms suivants :
- NXP
- PHILIPS
- PHIL
- NXP USA Inc
- PHI
- PHILLIPS
- NXP SEMI
- NXP SEMICONDUCTOR
- PHILIPS/NXP
- PHILIPS SEMICONDUCTORS
- PHILIP
- NXP/PHILIPS
- PHILIPS SEMICONDUCTOR
- PHILPS
- PHILIPS COMPONENTS
- PHILIPS SEMI
- PHL
- PHLIPS
- NXP Semicon
- NXP / Freescale
- PHILL
- PHILIPS ECG
- Philips Semiconducto
- PHILLIP
- PHILI
- Philips Semiconductors
- NXP Semiconductors NV
- NXP
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-873-1
MountSurface Mount
Number of Pins8
Technical
Continuous Drain Current (ID)15 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance17 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time5.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance526 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation37 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation37 W
Rds On Max17 mΩ
Rise Time12 ns
Turn-Off Delay Time18.3 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
Radiation HardeningNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité