NXP Semiconductors MRFE6VP6300HR3
Obsolete
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RFMW | MRFE6VP6300HR3 | 0 | 1 | 10h | ||||||||
| Farnell | MRFE6VP6300HR3 | 0 | 1 | Cut Tape | 9h | |||||||
| Worldway Electronics | MRFE6VP6300HR3 | 4 220 | 7 | Tape & Reel | 1d | |||||||
| IC Components Ltd. | MRFE6VP6300HR3 | 4 299 | 1d | |||||||||
| Aztech | MRFE6VP6300HR3 | 675 | 1d |
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Pièces de rechange
1 composant disponible
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
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Pièces de rechange
Ce composant
Pièces de rechange
Price @ 1000
$ 174.809
Stock
108,187
125,022
Authorized Distributors
2
6
Mount
Screw, Surface Mount
Screw, Surface Mount
Case/Package
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
130 V
130 V
Continuous Drain Current (ID)
-
100 mA
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
-
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
10 V
10 V
Power Dissipation
1.05 kW
1.05 kW
Input Capacitance
-
-
Pièces détachées
NXP SemiconductorsMRFE6VP5600HR5
RF Power Transistor,1.8 to 600 MHz, 600 W, Typ Gain in dB is 24.6 @ 230 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1787
NXP SemiconductorsMRFE6VP5600HR6
RF Power Transistor,1.8 to 600 MHz, 600 W, Typ Gain in dB is 24.6 @ 230 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1787
NXP SemiconductorsMRFE6VP5600HSR5
Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V
VishayIRLL110TRPBF
IRLL110TRPBF N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 1.5 A, 100 V, 3 + TAB-PIN SOT-223
VishayIRLR110PBF
Mosfet; Power; N-ch; Vdss 100V; Rds(on) 0.54 Ohm; Id 4.3A; TO-252AA; Pd 25W; Vgs +/-10V
Descriptions
Descriptions de NXP Semiconductors MRFE6VP6300HR3 fournies par ses distributeurs.
RF Power Transistor,1.8 to 600 MHz, 300 W, Typ Gain in dB is 25 @ 130 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1827
Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V
RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
RF FET, 1.8MHZ-600MHZ, NI-780S; Drain Source Voltage Vds: 130V; Continuous Drain Current Id: -; Power Dissipation Pd: 1.05kW; Operating Frequency Min: 1.8MHz; Operating Frequency Max: 600MHz; RF Transistor Case: NI-780S; No. o
Alias du fabricant
NXP Semiconductors possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. NXP Semiconductors peut également être connu sous les noms suivants :
- NXP
- PHILIPS
- PHIL
- NXP USA Inc
- PHI
- PHILLIPS
- NXP SEMI
- NXP SEMICONDUCTOR
- PHILIPS/NXP
- PHILIPS SEMICONDUCTORS
- PHILIP
- NXP/PHILIPS
- PHILIPS SEMICONDUCTOR
- PHILPS
- PHILIPS COMPONENTS
- PHILIPS SEMI
- PHL
- PHLIPS
- NXP Semicon
- NXP / Freescale
- PHILL
- PHILIPS ECG
- Philips Semiconducto
- PHILLIP
- PHILI
- Philips Semiconductors
- NXP Semiconductors NV
- NXP
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Pièces de rechange
1 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Body MaterialCeramic
MountScrew, Surface Mount
Number of Pins780
Number of Terminals4
Weight6.395794 g
Technical
Drain to Source Breakdown Voltage130 V
Drain to Source Voltage (Vdss)130 V
Element ConfigurationSingle
Frequency230 MHz
Gain26.5 dB
Gate to Source Voltage (Vgs)10 V
Max Frequency600 MHz
Max Operating Temperature225 °C
Max Power Dissipation1.05 kW
Min Breakdown Voltage130 V
Min Operating Temperature-30 °C
Number of Elements2
Output Power300 W
Power Dissipation1.05 kW
Schedule B8541290080
Test Current100 mA
Test Voltage50 V
Voltage Rating130 V
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité