NXP Semiconductors MRFE6VP100HR5

RF Power Transistor, 1.8 to 2000 MHz, 100 W, Typ Gain in dB is 27.2 @ 512 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1827
$ 170.37
EOL
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Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Newark
2
MRFE6VP100HR5050Cut Tape
RFMWMRFE6VP100HR501
3h
Future ElectronicsMRFE6VP100HR5050Tape & Reel
AvnetMRFE6VP100HR5050
4h
Arrow ElectronicsMRFE6VP100HR5050

Fiches techniques et documents

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IHS

Datasheet20 pagesIl y a 13 ans

element14 APAC

Freescale Semiconductor

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00
Introduction Date2012-05-22
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2026-09-30
LTD Date2027-09-30

Pièces détachées

NXP SemiconductorsMRF6V3090NBR1
RF Power Transistor,470 to 1215 MHz, 90 W, Typ Gain in dB is 22 @ 860 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1735
Détails
NXP SemiconductorsMRF6VP3091NBR1
RF Power Transistor,470 to 1215 MHz, 90 W, Typ Gain in dB is 22 @ 860 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1735
Détails
NXP SemiconductorsMRF6V2010NBR1
Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 10-450 MHz, 10 W, 50 V, FM2F
Détails
VishayVS-FB190SA10
N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR 190 A 100 V 4-PIN SOT-227
Détails
STMicroelectronicsSD2931-10W
N-Channel 125 V 389 W HF/VHF/UHF MOS Field-Effect RF Power Transistor-M174
Détails
STMicroelectronicsSTAC2942BW
STAC2942 Series 130 V 40 A 350 W 21 dB N-channel RF SMT Power Transistor
Détails

Descriptions

Descriptions de NXP Semiconductors MRFE6VP100HR5 fournies par ses distributeurs.

RF Power Transistor,1.8 to 2000 MHz, 100 W, Typ Gain in dB is 27.2 @ 512 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1827
RFMW
RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, L Band, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
MRFE6VP100H Series 50 V 512 MHz Broadband RF Power LDMOS Transistor - NI-780-4
Future Electronics
Transistor RF FET N-CH 133V 1.8MHz to 2000MHz 4-Pin NI-780 T/R
Avnet Japan
10V 2.6V 1N 133V 140m¦¸@ 22A,10V 73.6pF@ 50V NI-780-4 4.32mm
Unikeyic (ICkey)
Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case 465M-01 T/R
Verical
RF FET Transistor, 133 VDC, 1.8 MHz, 2000 MHz, NI-780
Avnet Silica
DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC
YIC International
RF MOSFET Transistors VHV6 100W 50V ISM
Jak Electronics
TRANSISTOR, RF, 133V, NI-780H-4L; Drain Source Voltage Vds: 133VDC; Continuous Drain Current Id: -; Power Dissipation Pd: -; Operating Frequency Min: 1.8MHz; Operating Frequency Max: 2000MHz; RF Transistor Case: NI-780; No. of Pins: 4Pins; Operating Temperature Max: 225°C; Product Range: -; MSL: -; SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Farnell

Images

RFMW
Rochester Electronics
Lanka Micro
Rochester Electronics

Alias du fabricant

NXP Semiconductors possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. NXP Semiconductors peut également être connu sous les noms suivants :

  • NXP
  • PHILIPS
  • PHIL
  • NXP USA Inc
  • PHI
  • PHILLIPS
  • NXP SEMI
  • NXP SEMICONDUCTOR
  • PHILIPS/NXP
  • PHILIPS SEMICONDUCTORS
  • PHILIP
  • NXP/PHILIPS
  • PHILIPS SEMICONDUCTOR
  • PHILPS
  • PHILIPS COMPONENTS
  • PHILIPS SEMI
  • PHL
  • PHLIPS
  • NXP Semicon
  • NXP / Freescale
  • PHILL
  • PHILIPS ECG
  • Philips Semiconducto
  • PHILLIP
  • PHILI
  • Philips Semiconductors
  • NXP Semiconductors NV
  • NXP

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • MRFE6VP100HR5.