Nexperia PSMN1R7-60BS,118

Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
$ 2.142
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Arrow ElectronicsPSMN1R7-60BS,11840042
TME
2
PSMN1R7-60BS.1183691
22h
DigiKey
3
1727-7106-1-ND1 1471Cut Tape
NewarkPSMN1R7-60BS,11801
AvnetPSMN1R7-60BS,11804800
11h

Fiches techniques et documents

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IHS

Datasheet14 pagesIl y a 14 ans

Future Electronics

TME

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Modèles CAO

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Pièces de rechange

Ce composant
Pièces de rechange
NexperiaPSMN1R7-60BS,118
InfineonIPB019N06L3GATMA1
Price @ 1000
$ 2.142
$ 2.06
Stock
537,935
1,340,463
Authorized Distributors
6
4
Mount
-
Surface Mount
Case/Package
SOT
TO-263
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
120 A
120 A
Threshold Voltage
-
1.7 V
Rds On Max
2 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
306 W
250 W
Input Capacitance
9.997 nF
21 nF

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-02-29
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)

Pièces détachées

NXP SemiconductorsBUK7510-55AL,127
Trans MOSFET N-CH 55V 122A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Détails
NexperiaBUK7508-55A,127
Trans MOSFET N-CH 55V 126A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Détails
NXP SemiconductorsBUK9E4R9-60E,127
Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
Détails

Descriptions

Descriptions de Nexperia PSMN1R7-60BS,118 fournies par ses distributeurs.

Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
N-channel 60 V 2 mΩ standard level MOSFET in D2PAK
Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Verical
PSMN1R7 Series 60 V 2 mOhm SMT N-Channel Standard Level MOSFET - D2PAK-3
Future Electronics
MOSFET, N-CH, 60V, 120A,D2PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 120A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.00166ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Powe
Farnell
Mosfet, N Channel, 60V, 120A,d2Pak; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:120A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:60V; Resistencia De Activación Rds(On):0.00166Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V |Nexperia PSMN1R7-60BS,118
Newark

Images

Nexperia
Farnell
element14 APAC
RS
TME
Future Electronics
Conrad
Rochester Electronics

Alias du fabricant

Nexperia possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Nexperia peut également être connu sous les noms suivants :

  • Nexperia USA Inc
  • NEXPER
  • Nexperia BV
  • NXP/NEXPERIA
  • Nexperia USA
  • NEXP
  • Nexperi
  • NEXPERIA / NXP
  • Nexperia Inc
  • Nexperia/NXP Semiconductors
  • NEXPERIA(Nexperia)
  • NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
  • Nexperia(Ahn Se)
  • Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
  • NEXPERIA/N
  • NEXPERIA/PHILIPS
  • NEXPERIA USA INC (UA)
  • NEX-NXP
  • NEXPERIA USA INC (VA)
  • NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • PSMN1R7-60BS 118
  • PSMN1R7-60BS118