Nexperia PBSS306NZ,135

PBSS306NZ Series 100 V 5.1 A SMT NPN Low VCEsat (BISS) Transistor - SOT-223
$ 0.523
Production
Page du fabricantFiche technique

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Fiches techniques et documents

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Datasheet15 pagesIl y a 16 ans

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.75
Introduction Date2006-09-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)

Pièces détachées

Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
PanasonicDSC5C01R0L
TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 100V, 20mA, SMINI3-F2-B; Transistor Polarity:NPN; Coll
PanasonicDSC5C01S0L
Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
PanasonicDSC550100L
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

Descriptions

Descriptions de Nexperia PBSS306NZ,135 fournies par ses distributeurs.

PBSS306NZ Series 100 V 5.1 A SMT NPN Low VCEsat (BISS) Transistor - SOT-223
Small Signal Bipolar Transistor, 5.1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Trans GP BJT NPN 100V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Avnet Japan
100V 700mW 5.1A 60@5A2V 110MHz 215mV@5.1A255mA NPN +150¡Í@(Tj) SOT-223 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency Typ, ft:110MHz; Power Dissipation Pd:2W; DC Collector Current:5.1A; DC Current Gain Max (hfe):330 ;RoHS Compliant: Yes
TRANS NPN 100V 5.1A SOT-223; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Power Dissipation Pd:700mW; DC Collector Current:5.1A; DC Current Gain hFE:330; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-223; No. of Pins:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:40mV; Current Ic Continuous a Max:500mA; Gain Bandwidth ft Typ:110MHz; Hfe Min:200; Package / Case:SOT-223; Power Dissipation Pd:700mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:Low Saturation (BISS)

Alias du fabricant

Nexperia possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Nexperia peut également être connu sous les noms suivants :

  • Nexperia USA Inc
  • NEXPER
  • Nexperia BV
  • NXP/NEXPERIA
  • Nexperia USA
  • NEXP
  • Nexperi
  • NEXPERIA / NXP
  • Nexperia Inc
  • Nexperia/NXP Semiconductors
  • NEXPERIA(Nexperia)
  • NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
  • Nexperia(Ahn Se)
  • Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
  • NEXPERIA/N
  • NEXPERIA/PHILIPS
  • NEXPERIA USA INC (UA)
  • NEX-NXP
  • NEXPERIA USA INC (VA)
  • NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • PBSS306NZ 135
  • PBSS306NZ135
  • PBSS306NZ@135