ROHM DTDG14GPT100

Name: ROHM DTDG14GPT100
Brand: ROHM
SKU: DTDG14GPT100

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin

$ 0.191

NRND

Page du fabricant Fiche technique

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Distributor		SKU		Min	Pkg
CoreStaff		ST73460545	984	1		0,256	0,256	0,219	0,163	0,158	16h
Verical	2	DTDG14GPT100	6 400	100				0,278	0,278	0,278
Arrow Electronics		DTDG14GPT100	3	1		0,127	0,127	0,127	0,127	0,127
DigiKey	3	DTDG14GPT100CT-ND	5 240	1	Cut Tape	0,930	0,580	0,376	0,288	0,288
TME	2	DTDG14GPT100	0	1		0,589*	0,366*	0,277*	0,224*	0,200*	11h

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.75

Introduction Date1995-04-01

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 2 weeks ago)

Pièces détachées

ROHM2SC5053T100Q

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin

Détails

onsemiNSM4002MR6T1G

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 40V, 45V 200mA, 500mA 300MHz, 100MHz

Détails

onsemiSBC847CWT3G

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, NPN

Détails

ROHM2SC5053T100R

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin

Détails

NXP SemiconductorsBC846AT,115

Tape & Reel (TR) Surface Mount NPN SINGLE Bipolar (BJT) Transistor 110 @ 2mA 5V 100mA 150mW 100MHz

Détails

NXP SemiconductorsBC847AT,115

Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 100 MHz, 150 mW, 100 mA, 110

Détails

Descriptions

Descriptions de ROHM DTDG14GPT100 fournies par ses distributeurs.

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin

IHS

Trans Digital BJT NPN 70V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R

Verical

DTDG14GP Series 60 V 1 A Surface Mount NPN Digital Transistor - SC-62

Future Electronics

400mV@ 5mA,500mA NPN - Pre-Biased 2W 5V 500nA 60V 1A MPT-3 4.5mm*2.5mm*1.5mm

UnikeyIC

Continuous a Max:500mA; Voltage, Vce Sat Max:400mV; Power Dissipation:500mW; Min Hfe:300; ft, Typ:80MHz; Case Style:SOT-89; Termination Type:SMD

SHENGYU ELECTRONICS

element14 APAC

TRANSISTOR; DIGITAL;POWER;MPT;NPN; Transistor Type:General Purpose; Transistor Polarity:NPN; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:50V; Current Ic Continuous a Max:500mA; Voltage, Vce Sat Max:400mV; Power Dissipation:500mW; Min ;RoHS Compliant: Yes

Newark

TRANSISTOR; Digital Transistor Polarity: Single NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V; Continuous Collector Current Ic: 1A; Base Input Resistor R1: -; Base-Emitter Resistor R2: 10kohm; Resistor Ratio, R1 / R2: -; RF Transistor Case: SOT-89; No. of Pins: 3 Pin; Product Range: DTDG14G Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: -; SVHC: No SVHC (15-Jan-2018); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 400mV; Current Ic Continuous a Max: 500mA; DC Collector Current: 500mA; DC Current Gain hFE: 300hFE; Gain Bandwidth ft Typ: 80MHz; Hfe Min: 300; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +150°C; Power Dissipation Pd: 500mW; Termination Type: Surface Mount Device; Transistor Case Style: SOT-89; Transistor Polarity: NPN; Transistor Type: General Purpose; Transition Frequency ft: 80MHz

Farnell

Images

element14 APAC

Future Electronics

TME

Alias du fabricant

ROHM possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. ROHM peut également être connu sous les noms suivants :

Rohm Semiconductor
ROHM CO LTD
RHOM
ROH
RHM
ROHM ELECTRONICS
ROM
ROMH
ROHS
ROHN
ROHM SEMI
ROHM Semicon
ROHM CORPORATION
ROHM CORP
MIYA
Rohm Company Limited
ROHM CO
ROHM ELEC
ROHM Semiconductors
ROHM ELECTRO
ROHM SEMICONDUCTOR(VA)
ROHM COMPANY LTD
ROHM INC
ROHM/MISC
ROHM/NONE

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

DTDG14GP T100

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Spécifications techniques

Physical

Case/PackageSC

MountSurface Mount

Number of Terminals3

Technical

Collector Emitter Breakdown Voltage60 V

Collector Emitter Saturation Voltage400 mV

Collector Emitter Voltage (VCEO)70 V

Continuous Collector Current1 A

Current Rating1 A

Element ConfigurationSingle

Emitter Base Voltage (VEBO)5 V

hFE Min300

Max Breakdown Voltage60 V

Max Collector Current1 A

Max Operating Temperature150 °C

Max Output Current1 A

Max Power Dissipation2 W

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

Operating Supply Voltage60 V

PackagingCut Tape

PolarityNPN

Power Dissipation2 W

TerminationSMD/SMT

Transition Frequency80 MHz

Voltage Rating (DC)60 V

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Conformité

Classification environnementale

China RoHSNon-Compliant

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCNo

RoHSCompliant