Nexperia BCW89,215
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Pièces de rechange
Ce composant
Pièces de rechange
Price @ 1000
$ 0.042
$ 0.032
Stock
2,284,674
1,643,379
Authorized Distributors
6
3
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-236-3
SOT-23
Polarity
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
60 V
60 V
Max Collector Current
100 mA
500 mA
Transition Frequency
150 MHz
-
Collector Emitter Saturation Voltage
300 mV
-300 mV
hFE Min
120
120
Power Dissipation
250 mW
350 mW
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.75
Introduction Date1997-09-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusRELEASED FOR SUPPLY (Last Updated: 2 years ago)
Pièces détachées
ROHMDTA144GKAT146
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
PanasonicDSA2001S0L
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AA
PanasonicDSA2001R0L
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AA
Descriptions
Descriptions de Nexperia BCW89,215 fournies par ses distributeurs.
BCW89 Series 60 V 100 mA SMT PNP General Purpose Transistor - SOT-23
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, 60V, SOT-23;
Trans GP BJT PNP 60V 0.1A 3-Pin TO-236AB T/R
150mV@ 2.5mA,50mA PNP 250mW 5V 100nA 80V 60V 100mA TO-236AB 3mm*1.4mm*1mm
TRANS, PNP, -60V, 150MHZ, SOT23-3; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-60V; Transition Frequency ft:150MHz; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:260hFE; RF
TRANSISTOR, PNP, -60V, -0.1A, SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage Max:-60V; Continuous Collector Current:-100mA; Power Dissipation:250mW; Transistor Mounting:Surface Mount; No. of Pins:3Pins; Product Range:- RoHS Compliant: Yes
Alias du fabricant
Nexperia possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Nexperia peut également être connu sous les noms suivants :
- Nexperia USA Inc
- NEXPER
- Nexperia BV
- NXP/NEXPERIA
- Nexperia USA
- NEXP
- Nexperi
- NEXPERIA / NXP
- Nexperia Inc
- Nexperia/NXP Semiconductors
- NEXPERIA(Nexperia)
- NEXPERIA/NXP SEMICONDUCTOR
- Nexperia(Ahn Se)
- Nexperia Semiconductors Taiwan Ltd
- NEXPERIA/N
- NEXPERIA/PHILIPS
- NEXPERIA USA INC (UA)
- NEX-NXP
- NEXPERIA USA INC (VA)
- NEXPERIA (FORMERLY NXP) (4001801)
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-236-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Ambient Temperature Range High150 °C
Collector Base Voltage (VCBO)-80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency150 MHz
Gain Bandwidth Product150 MHz
hFE Min120
Max Breakdown Voltage60 V
Max Collector Current100 mA
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
PolarityPNP
Power Dissipation250 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency150 MHz
Dimensions
Height1.1 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité