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Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Littelfuse VMK90-02T2.
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTE140NF20D
N-channel 200 V, 10 mOhm typ., 140 A STripFET(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in an ISOTOP package
NXP SemiconductorsMRFE6VS25LR5
RF Power Transistor,1.8 to 2000 MHz, 25 W, Typ Gain in dB is 25.9 @ 512 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1791
NXP SemiconductorsMRFE6VP100HR5
RF Power Transistor,1.8 to 2000 MHz, 100 W, Typ Gain in dB is 27.2 @ 512 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1827
Descriptions
Descriptions de Littelfuse VMK90-02T2 fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N-CH 200V 83A 7-Pin TO-240AA
Power Field-Effect Transistor, 84A I(D), 200V, 0.025ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-240AA
MOSFET Transistor
Alias du fabricant
Littelfuse possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Littelfuse peut également être connu sous les noms suivants :
- LITTLEFUSE
- Littelfuse Inc
- LITTELFU
- LITTEL
- LITTELFUS
- LIT
- LITTELF
- LITTLE
- LITT
- LITTLEFUSE INC
- LTF
- LTL
- LFUSE
- LIF
- L/F
- LITTLEFUS
- LITTLEFU
- LITTEIFUSE
- Littelfuse/Commercial Vehicle Products
- LTFUSE
- LITTELFUSE FAR EAST PTE LTD
- Hartland Controls / Littelfuse
- LITL
- Littelfuse - Raychem
- LITTELFUSE/WICKMANN
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Spécifications techniques
Physical
MountChassis Mount, Screw
Number of Pins7
Number of Terminals7
Technical
Continuous Drain Current (ID)84 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance25 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)200 V
Fall Time100 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance15 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation430 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements2
Power Dissipation430 W
Rds On Max25 mΩ
Resistance25 MΩ
Rise Time80 ns
Turn-Off Delay Time200 ns
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant