STMicroelectronics STE140NF20D
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Pièces détachées
NXP SemiconductorsMRFE6VS25LR5
RF Power Transistor,1.8 to 2000 MHz, 25 W, Typ Gain in dB is 25.9 @ 512 MHz, 50 V, LDMOS, SOT1791
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STE140NF20D fournies par ses distributeurs.
N-channel 200 V, 10 mOhm typ., 140 A STripFET(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in an ISOTOP package
500W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 338nC@ 10 V 1N 200V 12m¦¸@ 70A,10V 140A 11.1nF@25V ISOTOP-4
Trans MOSFET N-CH 200V 140A 4-Pin ISOTOP Tube
N-Channel 200 V 12 mO STripFET Power Mosfet - ISOTOP
Lv Mosfet Planar & Old |Stmicroelectronics STE140NF20D
N-Ch 200V 140A 500W 0,012R SOT227B
MOSFET, N-CH, 200V, 140A, ISOTOP
Power Field-Effect Transistor, 140A I(D), 200V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Power MOSFETs, 200V, 140A, ISOTOP, Tube
STMicroelectronics SCT
STMICROELECTRONICS STE140NF20D MOSFETS
MOSFET, N-CH, 200V, 140A, ISOTOP; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 140A; Drain Source Voltage Vds: 200V; On Resistance Rds(on): 0.01ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Pow
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Contact PlatingNickel
MountChassis Mount, Screw
Number of Pins4
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)140 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance12 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Fall Time250 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance11.1 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Elements1
Power Dissipation500 W
Rds On Max12 mΩ
Resistance10 mΩ
Rise Time218 ns
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time283 ns
Turn-On Delay Time232 ns
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant