Littelfuse IXFH80N65X2
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Pièces détachées
STMicroelectronicsSTW65N65DM2AG
MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V,42 mOhm typ 60 A MDmesh DM2 Power MOSFET
onsemiFCH041N65F-F155
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, FRFET®, 650 V, 76 A, 41 mΩ, TO-247
onsemiFCH041N65EF-F155
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, FRFET®, 650 V, 76 A, 71 mΩ, TO-247
Descriptions
Descriptions de Littelfuse IXFH80N65X2 fournies par ses distributeurs.
X2-Class Series - 650V - 700V Power MOSFETs with HiPerFET™ Options, TO-247, RoHS
Littelfuse SCT
MOSFET, Single - N-Channel, 650V, 80A, 890W, TO-247
X2-Class HiPerFETTM | MOSFET N-CH 650V 80A TO-247
Trans MOSFET N-CH 650V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Ultra junction MOSFET 80A 650V TO247
RS APAC
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 650V, 0.038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD
IXYS NMOS HiperFET, Vds=650 V, 80 A, TO-247, , 3
DiscMSFT NChUltraJnctn X2Class TO-247AD
Mosfet, N-Ch, 650V, 80A, To-247; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:650V; Continuous Drain Current Id:80A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:5V Rohs Compliant: Yes |Ixys Semiconductor IXFH80N65X2
Alias du fabricant
Littelfuse possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Littelfuse peut également être connu sous les noms suivants :
- LITTLEFUSE
- Littelfuse Inc
- LITTELFU
- LITTEL
- LITTELFUS
- LIT
- LITTELF
- LITTLE
- LITT
- LITTLEFUSE INC
- LTF
- LTL
- LFUSE
- LIF
- L/F
- LITTLEFUS
- LITTLEFU
- LITTEIFUSE
- Littelfuse/Commercial Vehicle Products
- LTFUSE
- LITTELFUSE FAR EAST PTE LTD
- Hartland Controls / Littelfuse
- LITL
- Littelfuse - Raychem
- LITTELFUSE/WICKMANN
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Drain to Source Resistance38 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Input Capacitance8.245 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation890 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation890 W
Rds On Max38 mΩ
Reverse Recovery Time200 ns
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