Infineon IRF6706S2TR1PBF
$ 1.348
Obsolete
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | IRF6706S2TR1PBFCT-ND | 838 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF6706S2TR1PBF | 0 | 1K | Bulk | 16h | |||||||
| Worldway Electronics | IRF6706S2TR1PBF | 15 213 | 7 | Tape & Reel | 1h | |||||||
| Esaler Electronic | IRF6706S2TR1PBF | 1 000 | 5d | |||||||||
| Fmall Co., Limited | IRF6706S2TR1PBF | 22 550 | >1wk |
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-03-31
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
onsemiNTTFS4H07NTAG
Power Field-Effect Transistor, 66A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
STMicroelectronicsSTD95N2LH5
Mosfet Transistor, N Channel, 40 A, 25 V, 3.8 Mohm, 10 V, 1 V |Stmicroelectronics STD95N2LH5
Descriptions
Descriptions de Infineon IRF6706S2TR1PBF fournies par ses distributeurs.
MOSFET; POWER; X0.9 CONTROLFET IN S1 OUTLINE .
MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET / N-Channel 25 V 17A (Ta), 63A (Tc) 1.8W (Ta), 26W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric S1
A 25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET S1 package rated at 17 amperes optimized with low on resistance. Shipped in Tape and Reel only. Part is not available in bulk, TR is implied in part number.
N Channel, MOSFET, 25V, 17A, DirectFET S1; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:17A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):0.003ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V ;RoHS Compliant: Yes
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins5
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance3.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Fall Time9.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.81 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation26 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.8 W
Rds On Max3.8 mΩ
Resistance6.5 MΩ
Rise Time20 ns
Turn-Off Delay Time9.9 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height740 µm
Length4.826 mm
Width3.95 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité