Infineon SPW20N60C3FKSA1
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-07-05
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
InfineonIPW60R165CPFKSA1
MOSFET N-CH 600V 21A TO-247 / Trans MOSFET N-CH 650V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
InfineonIPW60R160C6FKSA1
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 23.8 A, 0.14 ohm, TO-247, Through Hole
STMicroelectronicsSTW33N60M2
N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW25NM60ND
N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW24N60M2
N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
Descriptions
Descriptions de Infineon SPW20N60C3FKSA1 fournies par ses distributeurs.
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-247 / Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
SPW20N60C3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 21 A, 650 V, 3-PIN TO-247
Power Field-Effect Transistor, 20.7A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD
MOSFET, N, COOLMOS, TO-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:20.7A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):190mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:208W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Cont Current Id @ 25°C:20.7A; Current Id Max:20.7A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-247; Power Dissipation Pd:208W; Power Dissipation Pd:208W; Power Dissipation Ptot Max:208W; Pulse Current Idm:62.1A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds:650V; Voltage Vds Typ:650V; Voltage Vgs Max:3V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:3.9V
Replacement for 600V CoolMOS C3 is 600V CoolMOS C6/E6 >> Click & go to 600V CoolMOS C6/E6 | Summary of Features: Low specific on-state resistance; (R on*A); Very low energy storage in output capacitance (E oss) @400V; Low gate charge (Q g); Fieldproven CoolMOS quality; CoolMOS technology has been manufactured by Infineon since 1998 | Benefits: High efficiency and power density; Outstanding cost/performance; High reliability; Ease-of-use | Target Applications: Server; Telecom; Consumer; PC power; Adapter
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Modèles CAO
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)20.7 A
Current Rating20.7 A
Drain to Source Resistance190 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Fall Time4.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Dual Supply Voltage600 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation208 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance190 mΩ
Package Quantity240
PackagingRail/Tube
Power Dissipation208 W
Rise Time5 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time67 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Voltage Rating (DC)650 V
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité