STMicroelectronics STW24N60M2
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-01-14
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTW26NM60N
N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 20 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW28NM50N
N-channel 500 V, 0.135 Ohm typ., 21 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW28NM60ND
STW28NM60ND N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 23 A, 650 V, 3-PIN TO-247
onsemiFCH165N60E
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, Easy Drive, 600 V, 23 A, 165 mΩ, TO-247
Descriptions
Descriptions de STMicroelectronics STW24N60M2 fournies par ses distributeurs.
N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
STW24N60M2 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 18 A, 650 V, 3-PIN TO-247
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Mosfet, N-Ch, 600V, 18A, To-247; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:600V; Continuous Drain Current Id:18A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STW24N60M2
Alias du fabricant
STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance190 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time61 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.06 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation150 W
Rds On Max190 mΩ
Resistance190 MΩ
Rise Time9 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time14 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant