Infineon SPI15N65C3XKSA1
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-01-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-08-31
LTD Date2019-02-28
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTFI20NM65N
N-channel 650 V, 0.25 Ohm typ., 15 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in I2PAKFP package
STMicroelectronicsSTI18N65M5
N-channel 650 V, 0.198 Ohm typ., 15 A MDmesh M5 Power MOSFET in I2PAK package
STMicroelectronicsSTI20N65M5
N-channel 650 V, 0.160 Ohm typ., 18 A MDmesh M5 Power MOSFET in I2PAK package
Descriptions
Descriptions de Infineon SPI15N65C3XKSA1 fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-262
650V CoolMOS™ C3 is Infineon's third series of CoolMOS™ with market entry in 2001, PG-TO262-3-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 650V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
SPI15N65 650V AND 700V COOLMOS N-CHANNE;
Replacement for 650V CoolMOS C3 is 650V CoolMOS C6/E6 >> Click & go to 650V CoolMOS C6/E6 | Summary of Features: Low specific on-state resistance (R on*A); Very low energy storage in output capacitance (E oss) @400V; Low gate charge (Q g); Fieldproven CoolMOS quality; CoolMOS technology has been manufactured by Infineon since 1998 | Benefits: High efficiency and power density; Outstanding cost/performance; High reliability; Ease-of-use | Target Applications: Consumer; PC power; Adapter
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)15 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance280 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.6 nF
Max Dual Supply Voltage650 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation156 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance280 mΩ
Package Quantity500
Power Dissipation156 W
Rds On Max280 mΩ
Rise Time14 ns
Turn-Off Delay Time70 ns
Turn-On Delay Time32 ns
Dimensions
Height9.45 mm
Length10.2 mm
Width4.5 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité