Infineon SPI08N50C3XKSA1
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Pièces détachées
STMicroelectronicsSTFI12N60M2
N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAKFP package
onsemiFQI9N50CTU
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Descriptions
Descriptions de Infineon SPI08N50C3XKSA1 fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N-CH 560V 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-262
Replacement for 500V CoolMOS™ C3 is CoolMOS™ P7, PG-TO262-3-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 7.6A I(D), 500V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
SPI08N50 500V COOLMOS N-CHANNEL POWER M;
Replacement for 500V CoolMOS C3 is 500V CoolMOS CE >> Click & go to 500V CoolMOS CE | Summary of Features: Low specific on-state resistance; (R on*A); Very low energy storage in output capacitance (E oss) @400V; Low gate charge (Q g); Fieldproven CoolMOS quality; CoolMOS technology has been manufactured by Infineon since 1998 | Benefits: High efficiency and power density; Outstanding cost/performance; High reliability; Ease-of-use | Target Applications: Server; Telecom; Consumer; PC power; Adapter
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.6 A
Drain to Source Resistance600 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance750 pF
Max Dual Supply Voltage500 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation83 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance600 mΩ
Package Quantity500
Power Dissipation83 W
Rds On Max600 mΩ
Rise Time5 ns
Turn-Off Delay Time60 ns
Turn-On Delay Time6 ns
Dimensions
Height9.25 mm
Length10 mm
Width4.4 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité