Infineon SPD15P10PGBTMA1

Single P-Channel 100 V 240 mOhm 37 nC SIPMOS® Power Mosfet - DPAK
$ 0.732
NRND
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon SPD15P10PGBTMA1.

IHS

Datasheet10 pagesIl y a 19 ans

iiiC

Historique des stocks

Tendance sur 3 mois:
-52.25%

Modèles CAO

Téléchargez les symboles Infineon SPD15P10PGBTMA1, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.

SOURCEECADMCADFICHIERS
Component Search Engine
SymboleEmpreinte
3DTélécharger
EE Concierge
SymboleEmpreinte
SnapEDA
Empreinte
3DTélécharger
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginAustria, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-11-13
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 months ago)
LTB Date2026-09-30
LTD Date2027-03-31

Pièces détachées

MOSFET N-CH 200V 11A DPAK
Trans MOSFET N-CH 700V 16.1A 3-Pin(2+Tab) TO-252
MOSFET Transistor, N Channel, 11 A, 650 V, 0.199 ohm, 10 V, 3.5 V
Trans MOSFET N-CH 700V 16.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Single P-Channel 100 V 0.195 Ohm Surface Mount Power Mosfet - TO-252-3
N-Channel 50 V 0.047 Ohm Surface Mount Power Mosfet - TO-252AA
P-Channel 60 V 180 mOhm 55 W Surface Mount Power Mosfet - TO-252
Power MOSFET, -100V, 275mΩ, -11A, Single P-Channel

Descriptions

Descriptions de Infineon SPD15P10PGBTMA1 fournies par ses distributeurs.

Single P-Channel 100 V 240 mOhm 37 nC SIPMOS® Power Mosfet - DPAK
Trans MOSFET P-CH 100V 15A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.24ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET, P-CH, 100V, 15A, TO252-3; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-15A; Drain Source Voltage Vds:-100V; On Resistance Rds(on):0.16ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-3V; Power Dissipation Pd:128W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:175°C; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012); Operating Temperature Range:-55°C to +175°C
Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and figure of merit characteristics.

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • SP000212233
  • SPD15P10P G
  • SPD15P10PG