Infineon SPB11N60C3ATMA1
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2001-05-28
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTB13N60M2
N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
STMicroelectronicsSTB18N60DM2
N-channel 600 V, 0.26 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package
Descriptions
Descriptions de Infineon SPB11N60C3ATMA1 fournies par ses distributeurs.
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 11 A, 0.34 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
125W 20V 45nC@ 10V 1N 600V 380m¦¸@ 10V 11A 1.2nF@ 25V D2PAK , 10mm*9.25mm*4.4mm
Replacement for 600V CoolMOS™ C3 is CoolMOS™ P7600V CoolMOS™ C3 is Infineon's third series of CoolMOS™ with market entry in 2001. C3 is the "working horse" of the portfolio.
MOSFET, N-CH, 650V, 11A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:11A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):0.34ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Dissipation Pd:125W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012); Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-263-3
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Current Rating11 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance380 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.2 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Elements1
On-State Resistance380 mΩ
Package Quantity1000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation125 W
Rds On Max380 mΩ
Rise Time5 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time44 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Voltage Rating (DC)650 V
Dimensions
Height4.57 mm
Length10.31 mm
Width9.45 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité