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STMicroelectronics STB18N60DM2

N-channel 600 V, 0.26 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package
$ 1.204
EOL
Fiche technique
Page du fabricant

Prix et stock

Voir tous les prix
Distributeur
SKU
Minimum
Emballage
Prix de gros
Newark
2
STB18N60DM2
1 635
1
Cut Tape
USD
3,450
2,260
1,580
1,240
1,240
Arrow Electronics
2
STB18N60DM2
8 000
1K
USD
0,839
0,839
Verical
2
STB18N60DM2
8 000
1K
USD
0,839
0,839
TME
2
STB18N60DM2
0
1
USD
2,730
1,920
1,500
1,500
1,500
1d
DigiKey
3
497-16339-1-ND
667
1
Cut Tape
USD
3,600
2,346
1,632
1,327
1,327

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour STMicroelectronics STB18N60DM2.

Future Electronics

Datasheet15 pagesIl y a 10 ans

Newark

TME

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-01-28
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 months ago)
LTB Date2026-09-10
LTD Date2027-03-10

Pièces détachées

VishaySIHB15N50E-GE3
Trans MOSFET N-CH 500V 14.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Détails
VishaySIHB12N50E-GE3
Trans MOSFET N-CH 500V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Détails
InfineonIPB65R280C6
MOSFET N-CH 650V 13.8A D2PAK N-Channel 650 V 13.8A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Détails
STMicroelectronicsSTB13N60M2
N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
Détails
InfineonIPB60R380P6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 10.6A D2PAK N-Channel 600 V 10.6A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Détails
InfineonIPB65R225C7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK / N-Channel 650 V 11A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Détails

Descriptions

Descriptions de STMicroelectronics STB18N60DM2 fournies par ses distributeurs.

N-channel 600 V, 0.26 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package
STMicroelectronics
N-Channel 600 V 0.295 Ohm Surface Mount DM2 Power Mosfet - D2PAK
Future Electronics
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Verical
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.295ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
IHS
STMicroelectronics NChannel EnhancedMOSTube MDmesh DM2series, Vds=600 V, 12 A, D2PAK (TO-263)encapsulation, surface mount, 3Pin
UnikeyIC
MOSFET, N-CH, 600V, 12A, TO-263; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 12A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.26ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: 90W; Transistor Case Style: TO-263; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: -; SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Farnell

Images

Newark
TME
RS
Future Electronics
Lanka Micro

Alias du fabricant

STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics