STMicroelectronics STB18N60DM2

N-channel 600 V, 0.26 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package
$ 1.204
EOL
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

Voir tous les prix
DistributorSKUMinPkg
NewarkSTB18N60DM21 6351Cut Tape
Arrow Electronics
2
STB18N60DM28 0001K
Verical
2
STB18N60DM28 0001K
DigiKey
2
497-16339-1-ND6671Cut Tape
TME
2
STB18N60DM201
11h

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour STMicroelectronics STB18N60DM2.

Future Electronics

Datasheet15 pagesIl y a 10 ans

Newark

TME

Historique des stocks

Tendance sur 3 mois:
-4.35%
Powered bySpectra logo

Modèles CAO

Téléchargez les symboles STMicroelectronics STB18N60DM2, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.

SOURCEECADMCADFICHIERS
Component Search Engine
SymboleEmpreinte
3DTélécharger
EE Concierge
SymboleEmpreinte
SnapEDA
Empreinte
Télécharger
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-01-28
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2026-09-10
LTD Date2027-03-10

Pièces détachées

VishaySIHB15N50E-GE3
Trans MOSFET N-CH 500V 14.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Détails
VishaySIHB12N50E-GE3
Trans MOSFET N-CH 500V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Détails
InfineonIPB65R280C6
Trans MOSFET N-CH 650V 13.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Détails
STMicroelectronicsSTB13N60M2
N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
Détails
InfineonIPB60R380P6ATMA1
Trans MOSFET N-CH 650V 10.6A 3-Pin TO-263 T/R
Détails
InfineonIPB65R225C7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK / N-Channel 650 V 11A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Détails

Descriptions

Descriptions de STMicroelectronics STB18N60DM2 fournies par ses distributeurs.

N-channel 600 V, 0.26 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package
STMicroelectronics
N-Channel 600 V 0.295 Ohm Surface Mount DM2 Power Mosfet - D2PAK
Future Electronics
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Verical
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.295ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
IHS
MOSFET, N-CH, 600V, 12A, TO-263; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 12A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.26ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: 90W; Transistor Case Style: TO-263; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: -; SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Farnell

Images

Newark
TME
RS
Future Electronics
Lanka Micro

Alias du fabricant

STMicroelectronics possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. STMicroelectronics peut également être connu sous les noms suivants :

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics