Infineon IRLMS6802TRPBF

Mosfet, Power; P-ch; Vdss -20V; Rds(on) 0.05 Ohm; Id -5.6A; MICRO6 (SOT-23); Pd 2W
$ 0.187
Obsolete
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

Fiches techniques et documents

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IHS

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TME

RS (Formerly Allied Electronics)

Jameco

iiiC

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Pièces de rechange

Ce composant
Pièces de rechange
Price @ 1000
$ 0.187
$ 0.187
Stock
5,623,547
5,623,547
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
LSOP
LSOP
Drain to Source Voltage (Vdss)
-20 V
-20 V
Continuous Drain Current (ID)
5.6 A
5.6 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
50 mΩ
50 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
12 V
12 V
Power Dissipation
2 W
2 W
Input Capacitance
1.079 nF
1.079 nF

Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-04-09
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 months ago)

Pièces détachées

P-Channel Power MOSFET, -20V, -6A, 39mΩ
onsemiFDC638APZ
P-Channel PowerTrench® MOSFET, 2.5V specified, -20V, -4.5A, 43mΩ
onsemiFDC640P
P-Channel PowerTrench® MOSFET, 2.5V specified, -20V, -4.5A, 53mΩ
Diodes Inc.ZXMN2B03E6TA
ZXMN2B03E6 Series 20 V 0.04 Ohm N-channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-6
Diodes Inc.DMP2066LDMQ-7
1.25W(Ta) 12V 1.2V@ 250¦ÌA 10.1nC@ 4.5 V 1P 20V 40m¦¸@ 4.6A,4.5V 4.6A 820pF@15V SOT-26
Diodes Inc.DMP2033UVT-7
1.2W(Ta) 8V 900mV@ 250¦ÌA 10.4nC@ 4.5 V 1P 20V 65m¦¸@ 4.2A,4.5V 4.2A 845pF@15V TSOT-26

Descriptions

Descriptions de Infineon IRLMS6802TRPBF fournies par ses distributeurs.

MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -20V;RDS(ON) 0.05Ohm;ID -5.6A;Micro6 (SOT-23);PD 2W
-20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 (Micro 6) package, TSOP6L, RoHS
Infineon SCT
Single P-Channel 20 V 0.100 Ohm 16 nC 2 W Silicon SMT Mosfet - MICRO-6
MOSFET, P, LOGIC, MICRO-6; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:5.6A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):50mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1.2V; Power Dissipation Pd:2W; Transistor Case Style:µSOIC; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:-5.6A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; On State Resistance @ Vgs = 2.5V:100mohm; On State Resistance @ Vgs = 4.5V:50mohm; P Channel Gate Charge:11nC; Package / Case:Micro6; Power Dissipation Pd:2W; Power Dissipation Pd:2W; Pulse Current Idm:45A; SMD Marking:2E; Termination Type:SMD; Voltage Vds:-20V; Voltage Vds Typ:-20V; Voltage Vgs Max:-1.2V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-4.5V; Voltage Vgs th Max:-1.2V
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IRFIRLMS6802TRPBF
  • IRLMS6802
  • IRLMS6802TRPBF.
  • SP001568566