Infineon IRLML9303TRPBF

Name: Infineon IRLML9303TRPBF
Brand: Infineon
SKU: IRLML9303TRPBF

-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro3 package, SOT23-3, RoHS

$ 0.109

Obsolete

Page du fabricant Fiche technique

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		IRLML9303TRPBF	3 000	9K							13h
DigiKey	2	IRLML9303TRPBFCT-ND	1 127	1	Cut Tape	0,420	0,260	0,164	0,108	0,108
RS (Formerly Allied Electronics)		IRLML9303TRPBF	0	20	Bulk			0,191	0,181	0,181	4h
Farnell	3	IRLML9303TRPBF	2 994	5	Cut Tape		0,483*	0,293*	0,123*	0,123*	11h
Mouser		942-IRLML9303TRPBF	2 456	1	Tape & Reel	0,420	0,260	0,164	0,109	0,072

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IHS

Datasheet11 pagesIl y a 14 ans

element14 APAC

Upverter

iiiC

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2010-05-27

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 months ago)

LTB Date2025-12-31

LTD Date2026-12-31

Pièces détachées

onsemiCPH3355-TL-W

Trans MOSFET P-CH 30V 2.5A 3-Pin SOT-23 T/R

Détails

InfineonIRLML2030TRPBF

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package, SOT23-3, RoHS

Détails

onsemiNDS351AN

N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET 30V, 1.4A, 160mΩ

Détails

onsemiNDS351N

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 1.1A, 250mΩ

Détails

InfineonIRLML5203TRPBF

MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 98Milliohms;ID -3A;Micro3;PD 1.25W;-55degc

Détails

InfineonIRLML0030TRPBF

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 27ohm; 1.3W; -55+150 deg.C; SMD; SOT23

Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IRLML9303TRPBF fournies par ses distributeurs.

-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro3 package, SOT23-3, RoHS

Infineon SCT

Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R / MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT-23-3

Win Source

MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: SOT-23 Polarity: P Power dissipation: 1.25 W

Distrelec

Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 30V, 0.165ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB

IHS

P Channel, MOSFET, -30V, -2.3 A, SOT-23; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-2.3A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.165ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1.3V ;RoHS Compliant: Yes

Newark

The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

Infineon

Images

RS (Formerly Allied Electronics)

Distrelec

Conrad

TME

International Rectifier

LZChips

iiiC

Future Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

IRFIRLML9303TRPBF
IRLML9303
IRLML9303TRPBF.
SP001558866

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Spécifications techniques

Physical

Case/PackageSOT-23

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals3

Technical

Continuous Drain Current (ID)2.3 A

Drain to Source Breakdown Voltage-30 V

Drain to Source Resistance165 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time8.6 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance160 pF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation1.25 W

Manufacturer Package IdentifierMicro3

Min Breakdown Voltage30 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs-1.3 V

Number of Channels1

Number of Elements1

On-State Resistance165 mΩ

Package Quantity3000

PackagingTape & Reel

Power Dissipation1.25 W

Rds On Max165 mΩ

Recovery Time18 ns

Resistance165 MΩ

Rise Time14 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage-1.3 V

Turn-Off Delay Time9 ns

Turn-On Delay Time7.5 ns

Dimensions

Height1.12 mm

Length3.0226 mm

Width1.397 mm

Fiches techniques et documents

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IHS

Datasheet11 pagesIl y a 14 ans

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iiiC

RS (Formerly Allied Electronics)

Conformité

Classification environnementale

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCYes

RoHSCompliant

Déclarations de conformité

Conflict Mineral StatementN/AN/A

Reach Statement6 pagesIl y a 12 ans

Rohs Statement1 pageIl y a 12 ans