Infineon IRLML5203TRPBF

Name: Infineon IRLML5203TRPBF
Brand: Infineon
SKU: IRLML5203TRPBF

Mosfet, Power; P-ch; Vdss -30V; Rds(on) 98MILLIOHMS; Id -3A; MICRO3; Pd 1.25W; -55DEGC

$ 0.124

EOL

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Prix et stock

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		IRLML5203TRPBF	450 000	3K						0,064	3d
Newark	2	IRLML5203TRPBF	33 569	1	Cut Tape	0,067	0,067	0,067	0,067	0,067
Future Electronics	2	IRLML5203TRPBF	738 000	3K	Tape & Reel					0,074
Arrow Electronics	2	IRLML5203TRPBF	325 951	1		0,460	0,255	0,170	0,119	0,085
DigiKey	3	IRLML5203TRPBFCT-ND	64 766	1	Cut Tape	0,500	0,305	0,193	0,129	0,129

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Newark

Datasheet11 pagesIl y a 12 ans

element14 APAC

IHS

iiiC

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2000-09-05

Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

InfineonIRLML9301TRPBF

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 0.064ohm; 1.3W; -55+150 deg.C; SMD; SOT23

Détails

InfineonIRLML2030TRPBF

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package, SOT23-3, RoHS

Détails

InfineonIRLML9303TRPBF

-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro3 package, SOT23-3, RoHS

Détails

Diodes Inc.DMG3406L-7

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 0,07ohm;1.4W; -55+150 st.C; SMD; SOT23

Détails

Diodes Inc.DMP3099L-13

DMP3099L Series 30 V 3.8 A P-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3

Détails

Diodes Inc.DMP3068L-7

DMP3068L Series 30 V 3.3 A P-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3

Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IRLML5203TRPBF fournies par ses distributeurs.

MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 98Milliohms;ID -3A;Micro3;PD 1.25W;-55degc

RS (Formerly Allied Electronics)

-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package, SOT23-3, RoHS

Infineon SCT

Power MOSFET, P Channel, 30 V, 3 A, 0.098 ohm, SOT-23, Surface Mount

Avnet

HEXFET Power MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor

ComSIT Distribution GmbH

Single P-Channel 30 V 165 mOhm 14 nC HEXFET® Power Mosfet - MICRO-3

Future Electronics

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-30V; Continuous Drain Current, Id:-3A; On Resistance, Rds(on):98mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V; Package/Case:Micro3 ;RoHS Compliant: Yes

Newark

The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

Infineon

Images

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

IRFIRLML5203TRPBF
IRLML 5203
IRLML-5203
IRLML5203
IRLML5203TRPBF.
IRLML5203TRPBF....
SP001558846

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Spécifications techniques

Physical

Case/PackageSOT-23

Contact PlatingTin

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals3

Technical

Continuous Drain Current (ID)3 A

Current Rating-3 A

Drain to Source Breakdown Voltage-30 V

Drain to Source Resistance98 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V

Dual Supply Voltage-30 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time52 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance510 pF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation1.25 W

Min Breakdown Voltage30 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs-2.5 V

Number of Elements1

On-State Resistance98 mΩ

Package Quantity3000

PackagingTape & Reel

Power Dissipation1.25 W

Rds On Max98 mΩ

Resistance98 MΩ

Rise Time18 ns

Schedule B8541290080

TerminationSMD/SMT

Threshold Voltage-2.5 V

Turn-Off Delay Time88 ns

Turn-On Delay Time12 ns

Voltage Rating (DC)-30 V

Dimensions

Height1.016 mm

Length3.0226 mm

Width3.05 mm

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Datasheet11 pagesIl y a 12 ans

element14 APAC

IHS

iiiC

RS (Formerly Allied Electronics)

Conformité

Classification environnementale

Lead FreeContains Lead

Radiation HardeningNo

REACH SVHCYes

RoHSCompliant

Déclarations de conformité

Conflict Mineral StatementN/AN/A

Reach Statement6 pagesIl y a 12 ans

Rohs Statement1 pageIl y a 12 ans