Infineon IRLML6302TRPBF

Mosfet, Power; P-ch; Vdss -20V; Rds(on) 0.6 Ohm; Id -0.78A; MICRO3; Pd 540MW; Vgs +/-12V
$ 0.334
Obsolete
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Fiches techniques et documents

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Pièces de rechange

Ce composant
Pièces de rechange
Price @ 1000
$ 0.334
$ 0.099
Stock
13,523,794
241,343
Authorized Distributors
4
3
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-23
TO-236-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
-20 V
-20 V
Continuous Drain Current (ID)
540 mA
780 mA
Threshold Voltage
-1.5 V
-
Rds On Max
600 mΩ
600 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
12 V
12 V
Power Dissipation
540 mW
540 mW
Input Capacitance
97 pF
97 pF

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1995-07-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2024-07-31
LTD Date2025-01-31

Pièces détachées

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 20V;RDS(ON) 0.25Ohm;ID 1.2A;Micro3;PD 540mW;VGS +/-12V
MOSFET, 20V, 4.1A, 46 MOHM, 3.5 NC QG, 2.5V DRIVE CAPABLE, SOT-23
MOSFET, 20V, 1.2A, 250 MOHM, 2.6 NC QG, LOGIC LEVEL, SOT-23, HALOGEN-FREE
NXP SemiconductorsPMV170UN,215
325mW(Ta),1.14W(Tc) 8V 1V@ 250¦ÌA 1.65nC@ 4.5 V 1N 20V 165m¦¸@ 1A,4.5V 83pF@10V SOT-23,TO-236AB
N-Channel Power MOSFET 20V, 3.5A, 71mΩ
Diodes Inc.DMG6968UQ-7
Transistor MOSFET N-CH 20V 6.5A 3-Pin SOT-23 T/R

Descriptions

Descriptions de Infineon IRLML6302TRPBF fournies par ses distributeurs.

MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -20V;RDS(ON) 0.6Ohm;ID -0.78A;Micro3;PD 540mW;VGS +/-12V
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 780 mA, 600 Milliohms, SOT-23, 3 Pins, Surface Mount
-20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package, SOT23-3, RoHS
Infineon SCT
HEXFET POWER MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 0.78A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
MOSFET, P, MICRO3; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-610mA; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):600mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1.5V; Power Dissipation Pd:540mW; Transistor Case Style:µSOIC; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:-780mA; Package / Case:Micro3; Power Dissipation Pd:540mW; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:-20V; Voltage Vgs Max:-1.5V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-4.5V
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Transistor Polarity = P-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) mA = -780 / Drain-Source Voltage (Vds) V = -20 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 600 / Gate-Source Voltage V = 12 / Fall Time ns = 22 / Rise Time ns = 18 / Turn-OFF Delay Time ns = 22 / Turn-ON Delay Time ns = 13 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SOT-23 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Power Dissipation (Pd) mW = 540

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IRFIRLML6302TRPBF
  • IRLML6302
  • IRLML6302*
  • IRLML6302TRPBF.
  • SP001574060