Infineon IRLI2910PBF
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1998-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
InfineonIRLI540NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.044Ohm;ID 23A;TO-220 Full-Pak;PD 54W
Rochester ElectronicsIRFI4510GPBF
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB FullPak, FULLPAK220-3, RoHS
STMicroelectronicsSTF30N10F7
N-channel 100 V, 0.02 Ohm typ., 24 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220FP package
InfineonIRFI1310NPBF
Single N-Channel 100 V 0.036 Ohm 120 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3FP
Descriptions
Descriptions de Infineon IRLI2910PBF fournies par ses distributeurs.
Single N-Channel 100 V 0.03 Ohm 140 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3FP
MOSFET, 100V, 27A, 26 MOHM, 93.3 NC QG,LOGIC LEVEL, TO-220 FULLPACK
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package, FULLPAK220-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pack
Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 100V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature; Logic Level
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:100V; Continuous Drain Current, Id:31A; On Resistance, Rds(on):26mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:TO-220 FULLPAK ;RoHS Compliant: Yes
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220AB
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)31 A
Current Rating27 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance30 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Dual Supply Voltage100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time55 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance3.7 nF
Isolation Voltage2500 Vrms
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation48 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance26 mΩ
Package Quantity2000
PackagingBulk
Power Dissipation48 W
Rds On Max26 mΩ
Resistance30 mΩ
Rise Time100 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time49 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height16.61 mm
Length10.6172 mm
Width4.826 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeContains Lead, Lead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité