Infineon IRL520NSTRLPBF
$ 0.683
Obsolete
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | IRL520NSTRLPBF | 193 967 | 31m | |||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRL520NSTRLPBF | 0 | 800 | Bulk | 17h | |||||||
| Farnell | IRL520NSTRLPBF | 0 | 1 | Cut Tape | 10h | |||||||
| Verical | IRL520NSTRLPBF | 193 967 | 493 | |||||||||
| Win Source | WS-IRL520NSTRLPBF | 7 710 | 65 | 2h |
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -1.82%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon IRL520NSTRLPBF.
Modèles CAO
Téléchargez les symboles Infineon IRL520NSTRLPBF, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 EE Concierge | SymboleEmpreinte | ||
 SnapEDA | Empreinte | Télécharger |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2001-04-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
InfineonIRL520NSPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.18Ohm;ID 10A;D2Pak;PD 48W;VGS +/-16V;-55d
InfineonIRF520NSPBF
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Descriptions
Descriptions de Infineon IRL520NSTRLPBF fournies par ses distributeurs.
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 100 V 0.26 Ohm 20 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
MOSFET, 100V, 10A, 180 MOHM, 13.3 NC QG, LOGIC LEVEL, D2-PAK
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature; Logic Level
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:100V; Continuous Drain Current, Id:10A; On Resistance, Rds(on):180mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:D2PAK ;RoHS Compliant: Yes
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 10 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 180 / Gate-Source Voltage V = 16 / Fall Time ns = 22 / Rise Time ns = 35 / Turn-OFF Delay Time ns = 23 / Turn-ON Delay Time ns = 4 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-263 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 48
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -1.82%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance220 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time22 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance440 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation48 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance180 mΩ
Package Quantity800
Power Dissipation3.8 W
Rds On Max180 mΩ
Rise Time35 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time23 ns
Turn-On Delay Time4 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.668 mm
Width9.65 mm
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon IRL520NSTRLPBF.
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité