Infineon IRF520NSTRLPBF

Single N-Channel 100 V 0.2 Ohm 25 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
$ 1.05
Obsolete
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

Voir tous les prix
DistributorSKUMinPkg
RS (Formerly Allied Electronics)IRF520NSTRLPBF05Bulk
7h
Farnell
2
IRF520NSTRLPBF01Cut Tape
1h
Microchip USAIRF520NS2303KTray
8h
Win Source
2
WS-IRF520NSTRLPBF110110
16h
Worldway Electronics
2
IRF520NSTRLPBF15 4157Tape & Reel
15h

Fiches techniques et documents

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IHS

Datasheet11 pagesIl y a 21 ans

Farnell

Newark

Burklin Elektronik

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Pièces de rechange

Ce composant
Pièces de rechange
InfineonIRF520NSTRLPBF
InfineonIRF520NSPBF
Price @ 1000
$ 1.05
$ 1.13
Stock
191,376
57,720
Authorized Distributors
2
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
9.7 A
9.7 A
Threshold Voltage
-
4 V
Rds On Max
200 mΩ
200 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
3.8 W
3.8 W
Input Capacitance
330 pF
330 pF

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1996-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2012-12-28
LTD Date2013-06-28

Pièces détachées

InfineonIRF520NSPBF
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Détails
InfineonIRL520NSPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.18Ohm;ID 10A;D2Pak;PD 48W;VGS +/-16V;-55d
Détails
InfineonIRL520NSTRLPBF
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Détails
onsemiNTB13N10G
Tube Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 13A Ta 13A 64.7W 36ns
Détails
VishayIRF510SPBF
Single N-Channel 100 V 0.54 Ohms Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3
Détails
VishayIRF540SPBF
Single N-Channel 100 V 77 mOhms Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IRF520NSTRLPBF fournies par ses distributeurs.

Single N-Channel 100 V 0.2 Ohm 25 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Future Electronics
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=9.7A) | MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
Win Source
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Infineon Technologies N channel HEXFET power MOSFET, 100 V, 9.7 A, TO-252-3, IRF520NSTRLPBF
Burklin Elektronik
Trans MOSFET N-CH 100V 9.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Verical
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:100V; Continuous Drain Current, Id:9.7A; On Resistance, Rds(on):200mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:D2PAK ;RoHS Compliant: Yes
Newark
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Infineon

Images

Infineon
Newark
element14 APAC
TME
RS (Formerly Allied Electronics)
Future Electronics
Burklin Elektronik
Rochester Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IRF520NS
  • SP001551098