Infineon IRL520NPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 100V; Rds(on) 0.18 Ohm; Id 10A; TO-220AB; Pd 48W; Vgs +/-16V
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Fiches techniques et documents

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1998-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2013-10-03
LTD Date2014-04-03

Pièces détachées

onsemiFQP13N10L
N-Channel Power MOSFET, Logic Level, QFET®, 100 V, 12.8 A, 180 mΩ, TO-220
NXP SemiconductorsBUK95180-100A,127
Trans MOSFET N-CH 100V 11A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
InfineonIRF520NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.2Ohm;ID 9.7A;TO-220AB;PD 48W;VGS +/-20V
onsemiRFP12N10L
Transistor RFP12N10L MOSFET N-Channel 100 Volt 12 Amp TO-220
VishayIRL520PBF
Single N-Channel 100 V 0.27 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3
onsemiFQP13N10
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 100 V, 12.8 A, 180 mΩ, TO-220

Descriptions

Descriptions de Infineon IRL520NPBF fournies par ses distributeurs.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.18Ohm;ID 10A;TO-220AB;PD 48W;VGS +/-16V
In a Tube of 50, IRL520NPBF N-Channel MOSFET, 10 A, 100 V LogicFET, 3-Pin TO-220AB Infineon
Single N-Channel 100 V 0.22 Ohm 20 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-220 Polarity: N Power dissipation: 60 W
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):180mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; Power Dissipation Pd:48W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:10A; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:48W; Power Dissipation Pd:48W; Pulse Current Idm:35A; SMD Marking:IRL520NPBF; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:2V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IRFIRL520NPBF
  • IRL520N
  • IRL520NPBF.
  • SP001558080