Infineon IRF520NPBF
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Pièces de rechange
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Stock
1,593,303
1,593,303
Authorized Distributors
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220AB
TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
9.7 A
9.7 A
Threshold Voltage
4 V
4 V
Rds On Max
200 mΩ
200 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
48 W
48 W
Input Capacitance
330 pF
330 pF
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1996-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
InfineonIRL520NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.18Ohm;ID 10A;TO-220AB;PD 48W;VGS +/-16V
InfineonIRFI520NPBF
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package
NXP SemiconductorsBUK95180-100A,127
Trans MOSFET N-CH 100V 11A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Descriptions
Descriptions de Infineon IRF520NPBF fournies par ses distributeurs.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.2Ohm;ID 9.7A;TO-220AB;PD 48W;VGS +/-20V
Infineon Technologies N channel HEXFET power MOSFET, 100 V, 9.7 A, TO-220, IRF520NPBF
Single N-Channel 100 V 0.2 Ohm 25 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 9.5 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Through Hole
Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9.5A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):200mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:9.7A; Current Temperature:25°C; Device Marking:IRF520N; Full Power Rating Temperature:25°C; Lead Spacing:2.54mm; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-220AB; Pin Configuration:a; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Power Dissipation Pd:47W; Power Dissipation Pd:47W; Pulse Current Idm:38A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature | Target Applications: Consumer Full-Bridge; Full-Bridge; Push-Pull
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220AB
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)9.7 A
Current Rating9.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance200 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Dual Supply Voltage100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time23 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance330 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation47 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance200 mΩ
Package Quantity1000
PackagingBulk
Power Dissipation48 W
Rds On Max200 mΩ
Recovery Time150 ns
Rise Time23 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time32 ns
Turn-On Delay Time4.5 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height19.1 mm
Lead Pitch2.54 mm
Length10.5156 mm
Width4.69 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeContains Lead, Lead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité