Infineon IRGB4060DPBF

Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
$ 1.355
Obsolete
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Rochester Electronics
2
IRGB4060DPBF91 200
21h
RS (Formerly Allied Electronics)IRGB4060DPBF0400Bulk
14h
Mouser942-IRGB4060DPBF3591Tube
Verical
3
IRGB4060DPBF76 650202
Component Stockers USAIRGB4060DPBF29 601
6d

Fiches techniques et documents

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IHS

Datasheet11 pagesIl y a 19 ans

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-02-24
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2019-02-28
LTD Date2019-08-31

Pièces détachées

InfineonIRGB6B60KDPBF
600V UltraFast 10-30 kHz Copack IGBT in a TO-220AB package, TO220COPAK-3, RoHS
Détails
InfineonIRGB4610DPBF
IGBT WITH RECOVERY DIODE / IGBT 600 V 16 A 77 W Through Hole TO-220AB
Détails
InfineonIRG4BC20KDPBF
IRG4BC20KDPBF Series 600 V 9 A N-Channel UltraFast IGBT - TO-220AB
Détails
onsemiHGTP3N60A4
Trans IGBT Chip N-CH 600V 17A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Détails
onsemiHGTP7N60C3D
Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IRGB4060DPBF fournies par ses distributeurs.

Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Avnet
IRGB4060DPbF Series 600 V 8 A N-Channel Bipolar Transistor IGBT - TO-220AB
Future Electronics
600V UltraFast Copack Trench IGBT in a TO-220AB package
RS (Formerly Allied Electronics)
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Insulated Gate Bipolar Transistor, 16A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
ComSIT Distribution GmbH
IGBT Housing type: TO-220AB Collector-emitter breakdown voltage: 600 V Collector-emitter saturation voltage: 1.85 V Current release time: 20 ns Power dissipation: 99 W
Distrelec
Transistor; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Collector Emitter Voltage, Vces:600V; Continuous Collector Current, Ic:16A; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):1.85V; Power Dissipation, Pd:99W RoHS Compliant: Yes
Newark
IGBT, 600V, TO-220; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:16A; Collector Emitter Voltage Vces:1.55V; Power Dissipation Pd:99W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012); Current Ic Continuous a Max:16A; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Max:99W; Power Dissipation Pd:99W; Power Dissipation Pd:99W; Pulsed Current Icm:32A; Rise Time:15ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:600V
element14 APAC

Images

Infineon
Augswan
TME
DKO Electronshik
element14
RS (Formerly Allied Electronics)
Distrelec
International Rectifier
LZChips

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IRFIRGB4060DPBF
  • IRGB4060D
  • SP001533960